Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Simulation of mobile phone antenna performance

Sotoudeh O., Wittig T.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2015

|

Vol. 56, nr 5

16-18

PL

Artykuł prezentuje obecne możliwości zaawansowanych symulacji elektromagnetycznych 3D EM. Na wszystkich etapach rozwoju anteny telefonu komórkowego – od projektu samej anteny poprzez optymalizację całego telefonu do zbadania wpływu na organizm człowieka – porównano wyniki symulacji i pomiarów i pokazano ich bardzo dobrą zgodność. Jako uzupełnienie danych pomiarowych, symulacja numeryczna daje wgląd we wcześniej ukryte szczegóły i zależności elektromagnetyczne. W ciągu jednego przebiegu symulacji można uzyskać wszystkie istotne dane, takie jak dopasowanie, skuteczność promieniowania, pola bliskie i dalekie i straty (na różnych częstotliwościach). Zaawansowane techniki generacji siatek (dzielących strukturę na komórki elementarne) znacząco redukują czas symulacji, obniżając go do kilku minut w przypadku symulacji samej anteny. Dzięki temu osiągalne stają się nawet skomplikowane zadania optymalizacyjne. Zwiększenie wydajności i niezawodności symulacji zmniejsza również ryzyko przekroczenia kosztów projektu, co jest istotne w produkcji urządzeń mobilnych.

EN

The article shows what is currently possible in the world of advanced 3D EM simulation. Throughout all steps of a mobile phone’s terminal antenna development – from antenna design, through full phone optimization up to investigating the influence of, and impact on a body model – simulation and measurement have been compared and shown to be in very good agreement. In addition to measurable data, numerical simulation grants insight into previously unseen electromagnetic detail. Within one simulation run, all-important quantities such as return loss, radiation efficiency, near and far fields, and loss monitors (all at various frequencies) can be obtained. Advanced mesh technology significantly reduces the simulation time, bringing it down to a few minutes for an antenna simulation. Even complex automatic optimization runs become feasible. The increasing efficiency and reliability of simulation, which reduces design cost risk, is recognized as indispensable in the industry.

2

Analiza rozkładu przestrzennego promieniowania generowanego przez lasery kaskadowe w paśmie średniej podczerwieni

Pruszyńska-Karbownik E., Bugajski M., Regiński K., Trajnerowicz A., Karbownik P., Gutowski P.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2014

|

Vol. 55, nr 11

41-43

PL

Przestrzenny rozkład natężenia pola w emitowanej wiązce jest jednym z najważniejszych czynników charakteryzujących lasery półprzewodnikowe. Lasery kaskadowe wyróżniają się na tle innych typów laserów dużą rozbieżnością wiązki, co znacząco utrudnia zarówno ich charakteryzację jak i użytkowanie. Znajomość parametrów wiązki jest natomiast niezbędna do efektywnego zaprojektowania układów optycznych potrzebnych we wszystkich potencjalnych zastosowaniach laserów kaskadowych. W pracy zaprezentowano rozkłady przestrzenne natężenia promieniowania laserów kaskadowych wyznaczone przy użyciu szerokokątnego profilometru goniometrycznego. Użyty układ pomiarowy umożliwia pomiary mocy optycznej na sferze w szerokim kącie bryłowym przy równoczesnym zachowaniu wysokiej dokładności wyznaczania mocy w badanym paśmie. Dokonano analizy uzyskanych rozkładów z uwzględnieniem wyników obliczeń numerycznych, wykonanych przy pomocy komercyjnego programu Photon Design. Przedstawiono wpływ geometrii rezonatora lasera kaskadowego na strukturę modową promieniowania. Wykazano również, jak zamontowanie chipu laserowego na chłodnicy wpływa na kształt emitowanej wiązki. Oprócz tego rozpatrzono stabilność rozkładu przestrzennego promieniowania podczas trwania impulsu zasilającego laser.

EN

The spatial distribution of the emitted beam is one of the most important factors characterizing semiconductor lasers. Compared to other types of lasers, quantum cascade lasers (QCLs) are characterized by strongly diverging beam, which makes significantly difficult both their characterization and use. However to know the beam parameters is necessary for the design of optical systems for all potential applications of QCLs. The paper presents the spatial distribution of QCL beams determined by using a wide angle goniometric profilometer. The measuring system allows the measurements of optical power in mid infrared in a wide angle on the sphere while maintaining high accuracy. Analyses of the obtained distributions take into account the results of numerical calculations made by using Photon Design program. The influence of the resonator geometry on the mod structure is presented. It is also shown, how the laser chip mounting affects the shape of the emitted beam. In addition, the stability of the spatial distribution of the radiation during the supply pulse has been studied.

3

Generacja promieniowania wzajemnie koherentnego w aktywnym światłowodzie wielordzeniowym

Kochanowicz M., Dorosz D., Zając A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2009

|

Vol. 50, nr 10

151-155

PL

W artykule przedstawiono warunki generacji wzajemnie koherentnego promieniowania w wielordzeniowych światłowodach aktywnych, stosowanych do budowy laserów włóknowych dużej mocy. Przeanalizowano zależność kształtu obrazu dalekiego pola od częstotliwości znormalizowanej i średnicy rdzeni 5-rdzeniowego światłowodu aktywnego. Wykazano wpływ sprzężenia między rdzeniami na fazowanie promieniowania, a w konsekwencji możliwość uzyskania generacji supermodu.

EN

In the paper the conditions of the phase - locked generation in multicore optical fibres for high power fibre lasers are presented. The influence of normalized frequency and cores diameter in the active five core optical fibre on the Fraunhofer diffraction pattern is analyzed. The simulation results indicate that the phase-locked (supermode) generation depends on the coupling coefficient between cores.

4

Metody profilowania wiązki diody laserowej

Kozłowska A., Maląg A., Wróbel S.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2004

|

Vol. 45, nr 10

33-34

PL

Zaprezentowane zostały dwie metody profilowania wiązki diody laserowej. Metoda goniometryczna pozwala na dokładny pomiar rozkładów kątowych w dwóch ortogonalnych płaszczyznach. Metoda komplementarna bazuje na wykorzystaniu kamery CCD i umożliwia szybkie pomiary rozkładów intensywności diody laserowej w polu dalekim.

EN

Two measurement methods for high-power diode laser's beam profiling have been developed. Goniometric method enables accurate divergence and far-field profile determination. Complementary, CCD camera-based method provides immediate, two-dimensional information about the diode laser intensity distribution in the far-field.