Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: pokrycia antyrefleksyjne

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Właściwości aplikacyjne amorficznych warstw na bazie krzemu podwyższające sprawność ogniw słonecznych

Swatowska B., Kluska S., Panek P.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2013

Vol. 54, nr 5

37-40

W pracy przedstawiono omówienie najważniejszych, z punktu widzenia ich przyszłego zastosowania w ogniwach słonecznych, właściwości amorficznych warstw uwodornionych typu a-Si:C:H, a-Si:N:H czy też a-SiCN:H. Do wytwarzania wymienionych warstw zastosowano metodę chemicznego osadzania z fazy gazowej PECVD. Mieszaniny reakcyjne to: CH4+SiH4, NH3+SiH4 oraz CH4+SiH4+NH3. Analizie poddano właściwości strukturalne, morfologiczne i optyczne warstw. Określono zarówno ich skład chemiczny atomowy i wagowy, zawartość wiązań wodorowych, a także wyznaczono parametry optyczne:współczynnik załamania n, przerwę optyczną Eg oraz współczynnik odbicia efektywnego Reff. Uwzględniając rolę pokryć antyrefleksyjnych w ogniwach słonecznych analizowano wpływ wybranych parametrów warstw na właściwości aplikacyjne ogniw PV. Warstwa antyrefleksyjna o odpowiednim współczynniku załamania, grubości oraz współczynniku odbicia może podwyższyć sprawność ogniwa nawet o 30% względnych.

This paper provides an overview of the most important characteristics of the hydrogenated amorphous layers type a-Si:C:H, a-Si:N:H and a-SiCN:H, of the points of view of their future applications in solar cells. For the preparation of these thin films was applied method of chemical vapor deposition PECVD. Gaseous mixtures used: CH4+SiH4, NH3+SiH4 and CH4+NH3+SiH4. The structure, morphology and optical properties of layers were analyzed. Defined in both their atomic and weight chemical composition, the content of hydrogen bonding, as well as optical parameters were determined: refractive index n, energy gap Eg, effective reflection coefficient Reff and thickness d. Taking into account the role of antireflective coatings for solar cells, the influence of selected parameters of layers on PV cells properties was analyzed. Antireflective coating of suitable refractive index, thickness and reflectance coefficient may increase cell efficiency by up to 30% relative.

Amorficzne warstwy uwodornione typu a-Si:C:H oraz a-Si:N:H do zastosowań w ogniwach słonecznych jako pokrycia antyrefleksyjne

Swatowska B., Stapiński T.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2010

Vol. 51, nr 5

25-28

W pracy przedstawiono propozycję zastosowania amorficznych warstw uwodornionych typu a-Si:C:H oraz a-Si:N:H jako pokrycia antyrefleksyjne krzemowych ogniw słonecznych. Wspomniane warstwy otrzymywano metodą chemicznego osadzania z fazy gazowej PECVD. Do ich wytwarzania wykorzystano mieszaniny gazowe: CH 4 + SiH 4 oraz NH 3 + SiH4. Zbadano właściwości strukturalne i morfologiczne otrzymanych warstw a także określono ich parametry optyczne: współczynnik załamania n, przerwę optyczną E g oraz współczynnik odbicia efektywnego R eff . Wartości tychże parametrów oraz ich wpływ na właściwości krzemowych ogniw słonecznych, pozwoliły wytypować optymalne warunki technologiczne do otrzymywania efektywnych pokryć antyrefleksyjnych tego rodzaju.

In this work we propose to apply amorphous hydrogenated thin films a-Si:C:H and a-Si:N:H application as antireflective coatings. These kind of films were obtained by PECVD method from CH 4 + SiH 4 and NH 3 + SiH 4 gaseous mixtures. The structural and morphological properties of analyzed films were investigated. On base of optical and structural research the main properties of amorphous films like: refractive index n, energy gap E g , effective reflection coefficient R rff , thickness d and hydrogen bondings content were found. The correlation of material properties with technological process enabled us to find optimal conditions of ARC preparation for solar cells application.