Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Powiadomienia systemowe
  • Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  pojemność złącza p-n
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
PL
W artykule przedstawiono możliwości analizy parametrów ogniw słonecznych na podstawie pomiarów ich charakterystyk pojemnościowych. Prezentowane prace dotyczą symulacji numerycznych oraz pomiarów rzeczywistych charakterystyk pojemności złączowej cienkowarstwowych ogniw słonecznych. Na podstawie symulacji numerycznych i pomiarów dokonano obliczeń takich parametrów jak wykres Mott- Schottky’iego, gęstość domieszkowania w zależności od napięcia flat-band, czy też rozkład domieszek w słabiej domieszkowanym obszarze ogniwa. Praca prezentuje także problemy dotyczące konstrukcji i wykonania a także prowadzenia i interpretacji pomiarów przy pomocy specjalnie zaprojektowanego stanowiska badawczego.
EN
The article presents issues connected with analysis of solar cells parameters based on their junction capacitnce measurements. Presented investigation was based on numerical simulations, and indirect and direct measurements of thin -film solar cells capacitance characetristics. Using all described methods many parameters, namely Mott-Schottky characteristics, density of doping according to flat-band potential and base region doping level were calculated. The work presents also problems connected with construction and operation of the laboratory setup for Cj measurements as well as possible interpretation of obtained results.
PL
W artykule przedstawiono automatyczne stanowisko pomiarowe pozwalające na pomiary pojemności złączowej półprzewodnikowych złącz p-n. System pomiarowy został zbudowany w oparciu o standardowe przyrządy laboratoryjne uzupełnione o dedykowany generator pomiarowy, którego projekt i realizacja została opisana. W celu konfiguracji systemu, sterowania pomiarami i archiwizacji danych napisano specjalną aplikację w środowisku LabVIEW.
EN
The paper presents automatic measuring system allowing to measure of junction capacitance of semiconductor p-n junction. The system was build based on standard laboratory equipment supplemented with dedicated measuring generator, which design and realization was described. For the system configuration, controlling of measurements and data acquisition and saving special application in LabVIEW environment was made.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.