PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 6

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  pojemność pasożytnicza
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available Review and comparison of methods for limiting leakage currents in single-phase transformerless PV inverter topologies
Kołodziejski Wojciech, Jasielski Jacek, Kuta Stanisław W., Szerszeń Grzegorz, Machowski Witold
Science, Technology and Innovation
|
2022
|
Vol. 16, no. 3-4
1--19
EN
Transformerless inverters are widely used in different photovoltaic nonisolated ac module applications, mainly in grid-tied photovoltaic (PV) generation systems, due to the benefits of achieving high efficiency over a wide load range, and low cost. Various transformerless inverter topologies have been proposed to meet the safety requirement of low ground leakage currents, such as specified in the VDE-4105 standard and low-output ac-current distortion. Topology modifications of transformerless full bridge inverters are designed to balance and maintain a constant common mode output voltage, thereby eliminating or reducing leakage currents. This article reviews and compares the different methods for limiting leakage currents in known topologies of the full-bridge transformerless inverters, such as: H4, H5, H6, HERIC, and their improvements. The main topologies and strategies used to reduce the leakage current in transformerless schemes are summarized, highlighting advantages and disadvantages and establishing points of comparison with similar topologies. To compare the properties of different medium to high power inverters, PV inverter topologies were implemented using IGBTs and tested with the same components, same simulation parameters in PSPICE to evaluate their performance in terms of energy efficiency and leakage current characteristics. The detailed power stage operating principles, extended PWM modulator, and integrated universal gate driver with galvanic isolation in the transmission path of control signal for all IGBTs of the inverter, as well isolated and floating bias power supply for gate drivers are described.
2
Content available remote Pojemności pasożytnicze w układach energoelektronicznych
Chojowski Maciej, Piróg Stanisław, Baszyński Marcin, Dziadecki Aleksander
Przegląd Elektrotechniczny
|
2020
|
R. 96, nr 6
76--80
PL
Artykuł prezentuje metody wyznaczenia pojemności pasożytniczej w układzie zawierającym tranzystory MOSFET oraz dławik lub transformator. Metody zostały opisane, przeprowadzono symulację komputerową oraz zaprezentowano wyniki doświadczeń laboratoryjnych w celu potwierdzenia ich słuszności.
EN
The article presents methods for determining parasitic capacitance in a power electronics system containing MOSFET transistors and transformer or choke inductance. The methods were described in details and computer simulations were carried out. The results of laboratory experiments were presented to confirm their validity.
3
Content available remote Opis procesu wyłączania tranzystora MOSFET w przekształtnikach wysokiej częstotliwości
Grzejszczyk P.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2016
|
R. 92, nr 5
171--174
PL
W pracy został przedstawiony zwarty opis analityczny procesu wyłączania tranzystora MOSFET, odnoszący się do rozwiązań stosowanych w układach wysokoczęstotliwościowych. W opisie wykorzystano wyniki analizy symulacyjnej, opartej na bardzo precyzyjnym modelu tranzystora CoolMOS firmy Infineon (IPW60R070C6). Przedstawiono wyniki pomiarów eksperymentalnych mocy traconej przy wyłączaniu tranzystora w falowniku mostkowym pracującym z częstotliwością 100kHz, które potwierdzają poprawność rozważań teoretycznych.
EN
This paper contain a detailed study of high voltage Power MOSFET turn off process which occur in high frequencies applications. Presented description is based on simulation with very precious simulation model of Infineon’s CoolMOS transistor (IPW60R070C6). Experimental results of MOSFET turn off power losses measurement in H-bridge inverter works with 100kHz were also presented. This results confirmed correctness of analytical description presented by the author.
4
Content available remote Pojemności pasożytnicze uzwojeń transformatorów i dławików
Piróg S.
Zeszyty Naukowe Politechniki Rzeszowskiej. Elektrotechnika
|
2015
|
z. 34 [292], nr 2
81--97
PL
Pasożytnicze pojemności transformatorów i dławików stosowanych w impulsowych układach energoelektronicznych wpływają na kształt impulsu. Aby przewidzieć kształt impulsu, należy znać wartości pojemności pasożytniczych w zależności od geometrii transformatora impulsowego lub dławika. W artykule przedstawiono analityczne wyrażenia dla pojemności pasożytniczych uzwojeń wykonanych przewodem nawojowym oraz uzwojeń foliowych.
EN
Parasitic capacitance transformers and reactors used in pulsed power electronic systems influence the shape of the pulse. To predict the shape of the pulse must know the value of the parasitic capacitance depending on the geometry of the pulse transformer or choke. The article presents the analytical expressions for the parasitic capacitance winding made wire and folia.
5
Content available remote Analityczny opis łączeniowych strat energii w wysokonapięciowych tranzystorach MOSFET pracujących w mostku
Grzejszczak P., Barlik R.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2015
|
R. 91, nr 9
41-45
PL
W pracy przedstawiono analityczny opis łączeniowych strat energii w łącznikach z wysokonapięciowymi tranzystorami MOSFET, pracującymi w topologii mostkowej. Analizie poddano straty energii przy załączaniu twardym i miękkim, a także przy załączaniu małego prądu obciążenia i przy pracy bez obciążenia. W opisie uwzględniono wpływ pasożytniczych pojemności złączowych i zewnętrznych pojemności elementów półprzewodnikowych a także pasożytniczą pojemność odbiornika. Do wyprowadzenia zależności określających straty energii w łącznikach z tranzystorami MOSFET, wykorzystano zasadę zachowania ładunku i energii. Otrzymane zależności matematyczne wykorzystują wielkości dostępne w katalogach lub do określenia których wystarczą proste testy eksperymentalne.
EN
This paper presents an analytical description of the switching energy losses in high voltage MOSFETs used in the H-bridge converters. The energy losses in hard- and soft- switching and under both with light load and without load were analyzed. In the analytical model the parasitic junction capacitance, external capacitance of the semiconductors, and equivalent parasitic capacitance of the load were taken in the account. By obeying conservation of energy and conservation of electric charge laws during the analytical investigations the equations describing the energy losses are derived. The mathematical formulas that are provided by this research can be used for determining the switching losses generated in the semiconductor devices using parameters from manufacturers catalogues.
6
Content available remote Błąd pomiaru odkształcenia czujnikiem indukcyjnym spowodowany pojemnością przełącznika w metodzie porównawczej
Nurkowski J.
Prace Instytutu Mechaniki Górotworu PAN
|
2008
|
Vol. 10, no. 1-4
33--44
PL
Poniżej przedstawiono wyniki testów pomiaru odkształceń czujnikiem indukcyjnym, które miały na celu wyznaczenie błędów tegoż pomiaru, w zależności od wartości pasożytniczej pojemności elektrycznej bocznikującej klucze, służących do naprzemiennego przełączania czujnika pomiarowego i odniesienia w porównawczej metodzie pomiaru. Pojemność bocznikująca powoduje, że pomimo wyłączenia przez klucz danego czujnika jego indukcyjność jest połączona szeregowo z obwodem rezonansowym poprzez tę pasożytniczą pojemność, co w pewnych przypadkach może być źródłem znaczącego błędu pomiarowego. Dokonano również teoretycznej analizy obwodu rezonansowego z uwzględnieniem pojemności bocznikujących klucze, co pozwoliło na sformułowanie wzorów określających ich wpływ na błąd pomiaru. Zaproponowano także metodę redukcji błędów.
EN
The paper presents some results of displacement measurements carried out by means of the inductive sensor. The main goal of the measurements was to evaluate some errors caused by parasite capacitances of the keys used in periodical commutation measured and referenced sensors to the same oscillator. The capacitances shunt the keys in opened state. Values of these errors could be predicted by mathematical calculations. In the paper a practical way of reduction of these errors is described.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.