Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Wybrane uszkodzenia długo eksploatowanych kamionkowych przewodów kanalizacji sanitarnej

Kuliczkowska Emilia, Wijas Katarzyna

Instal

|

2022

|

nr 1

31--35

PL

Celem artykułu jest porównanie wielkości i częstości występowania wybranych uszkodzeń liniowych i punktowych, obserwowanych w długo eksploatowanych kamionkowych przewodach kanalizacji sanitarnej podczas ich inspekcji telewizyjnych CCTV, wykonywanych w latach 1991-2000 oraz 2003-2017. Analiza dotyczy następujących uszkodzeń: osadu stałego, rys i pęknięć podłużnych, przerastających do wnętrza korzeni oraz ubytków fragmentów powłoki konstrukcji. Zestawiono przyczyny i konsekwencje pojawiania się tych uszkodzeń, a także zamieszczono opis metody dotyczącej ich oceny. Wskazano podobieństwa i różnice w występowaniu i wielkości analizowanych uszkodzeń.

EN

The aim of the article is to compare the size and frequency of selected line and point defects observed in long-operated vitrified clay sewer pipes during their CCTV inspection carried out in the years 1991-2000 and 2003-2017. The analysis concerns the following defects: solid sediment, longitudinal scratches and cracks, roots growing into the sewer and losses of fragments of the structure coating. The causes and consequences of the occurrence of these defects are listed, as well as a description of the method for their assessment. Similarities and differences in the occurrence and size of the analyzed defects were indicated.

2

Effect of crystal defects on the electronic structure and dielectric functions of In0.5Tl0.5I solid state solutions

Andriyevsky Bohdan, Kashuba A., Ilchuk H.

Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej

|

2019

|

Nr 15

35--56

EN

We investigate an influence of the various crystal structure imperfections on the electronic properties and dielectric functions for In0.5Tl0.5I semiconductor in the frame of the density functional theory calculations. The tensor of electron effective mass m*ij of InI, In0.5Tl0.5I and TlI crystals has been calculated for the valence and conduction bands and different K-points of Brillouin zone. Dielectric functions ε(hν) of the defective crystals based on In0.5Tl0.5I solid state solution with iodine vacancy and thallium interstitial atom were calculated taking into consideration the inter-band and intra-band electron transitions. The studies of the defective crystals reveal increased low-frequency and stationary electron conductivity with anisotropy resulted from the anisotropy of the electron effective mass tensor. Our findings explain the origin of crucial changes in the band structure by formation the donor half-occupied levels close to the unoccupied conduction bands due to the crystal structure defects, i.e. iodine vacancy or thallium interstitial atom. It has been shown that in the case of real crystals, in particular metal-halides, the proper consideration of defects in quantum-chemical calculations results in a better matching of the theoretical and experimental results in comparison to the case when the perfect crystal structure had been used for calculations.

PL

Zbadano wpływ różnych niedoskonałości struktury krystalicznej na właściwości elektronowe i funkcje dielektryczne półprzewodnika In0.5Tl0.5I w ramach teorii funkcjonału gęstości. Został obliczony tensor efektywnej masy elektronów m* kryształów InI, In0.5Tl0.5I i TlI dla pasm walencyjnych i przewodnictwa oraz różnych K-punktów strefy Brillouina. Funkcje dielektryczne ε(hν) domieszkowanych kryształów roztworów stałych In0.5Tl0.5I z wakansami jodu i atomami międzywęzłowymi talu zostały obliczone z uwzględnieniem międzypasmowych i wewnątrz-pasmowych przejść elektronowych. Badania domieszkowanych kryształów ujawniły zwiększoną przewodność elektronową niskoczęstotliwościową i stacjonarną o anizotropii wynikającej z anizotropii tensora efektywnej masy elektronów. Przeprowadzone badania wyjaśniają obserwowane duże zmiany struktury pasmowej pochodzące z utworzenia pół wypełnionych poziomów donorowych w pobliżu niezajętych pasm przewodnictwa wynikających z defektów struktury krystalicznej, tj. wakansów jodu czy atomów międzywęzłową talu. Wykazano, że w przypadku kryształów rzeczywistych, w szczególności halogenków metali, właściwe uwzględnienie defektów w obliczeniach kwantowo-chemicznych daje możliwość lepszego dopasowania obliczeń teoretycznych do wyników doświadczalnych w porównaniu do obliczeń bazujących na strukturze krystalicznej doskonałej.

3

Electron paramagnetic resonance study of impurities and point defects in oxide crystals

Stefaniuk I.

Opto-Electronics Review

|

2018

|

Vol. 26, No. 2

81--91

EN

In this topic review the results of the X-band electron paramagnetic resonance (EPR) measurements of Mn, Co, Cr, Fe ions in YAlO₃ (YAP) crystals and Fe ions in LiNbO₃ (LNO) crystals and of chromium doped Bi₁₂GeO₂₀ (BGO) and Ca₄GdO(BO₃)₃ single crystals, are presented. It is well known that the oxide crystals (for example:YAP, LNO, BGO) are one of the most widely used host materials for different optoelectronic applications. The nature of point defect of impurities and produced in the oxide crystal after irradiation by bismuth ions and after irradiation by the ²³⁵U ions with energy 9.47 MeV/u and ﬂuency 5 × 10¹¹ cm⁻¹ is discussed. The latter is important for applications of these oxide crystal as laser materials.

4

Microstructure and dielectric properties of La2O3 doped Ti-rich barium strontium titanate ceramics for capacitor applications

Zhang C., Chen F., Ling Z., Jian G., Li Y.

Materials Science Poland

|

2017

|

Vol. 35, No. 4

806--815

EN

Microstructure and dielectric properties of La2O3 doped Ti-rich barium strontium titanate ceramics, prepared by solid state method, were investigated with non-stoichiometric level and various La2O3 content, using XRD, SEM and LCR measuring system. With an increase of non-stoichiometric level, the unit cell volumes of perovskite lattices for the single phase Ti-rich barium strontium titanate ceramics increased due to the decreasing A site vacancy concentration V″A. The unit cell volume increased and then decreased slightly with the increasing La2O3 content. Relatively high non-stoichiometric level and high La2O3 content in Ti-rich barium strontium titanate ceramics contributed to the decreased average grain size as well as fine grain size distribution, which correspondingly improved the temperature stability of the relative dielectric constant. The relative dielectric constant єrRT, dielectric loss tanδRT and the maximum relative dielectric constant єrmax decreased and then increased with the increasing non-stoichiometric level. With the increase of La2O3 doping content, the relative dielectric constant єrRT increased initially and then decreased. The maximum relative dielectric constant єrmax can be increased by applying low doping content of La2O3 in Ti-rich barium strontium titanate ceramics due to the increased spontaneous polarization.

5

Effect of point defects in a two-dimensional phononic crystal on the reemission of acoustic wave

Gruszka K., Garus S., Garus J., Błoch K., Nabiałek M.

Inżynieria Materiałowa

|

2014

|

Vol. 35, nr 2

132--135

EN

The article presents the results of the study on impact of the distribution, number and type of conglomeration of point defects on the parameters of the acoustic wave passing through the phononic crystal. For the simulation, the method of finite differences in time domain (FDTD) was used. In the paper several types of point defects distribution topology both inside and on the surface of the two-dimensional phononic crystal was examined. In order to suppress waves reflected from the edge of medium PML (Perfectly Matched Layers) algorithm was applied. In the simulation a lossless medium was considered. The study revealed that a small amount of point defects inside the body of phononic crystal has weak effect on the acoustic wave remission, while relatively small number of defects placed on the crystal's surface significantly affected the characteristics of the acoustic wave.

PL

W artykule przedstawiono wyniki badań wpływu rozmieszczenia, liczby oraz typu konglomeracji defektów punktowych na parametry fali akustycznej przechodzącej przez kryształ fononiczny. Do przeprowadzenia symulacji wykorzystano metodę różnic skończonych w domenie czasu (FDTD). W pracy zbadano kilkanaście rodzajów topologii rozmieszczenia defektów punktowych zarówno wewnątrz, jak i na powierzchni dwuwymiarowego kryształu fononicznego. W celu wytłumienia fal odbitych od krawędzi ośrodka zastosowano algorytm PML (Perfectly Matched Layers). W symulacji rozważano ośrodek bezstratny. Badania ujawniły, że niewielka liczba defektów punktowych znajdujących się wewnątrz kryształu fononicznego ma mały wpływ na reemisję fali akustycznej, natomiast relatywnie mała liczba defektów umieszczonych na powierzchni kryształu wpływa istotnie na parametry przechodzącej fali akustycznej.

6

Reconfiguration of Point Defects in FCC and HCP Metals at Initial Stage of Recovery Process

Boczkal G., Perek-Nowak M.

Archives of Metallurgy and Materials

|

2014

|

Vol. 59, iss. 4

1321--1325

EN

The conducted studies regarded the analysis of change of structure of point defects occurring during initial stage of recovery of FCC (Al, Cu) and HCP (Ti, Mg and Zn) metals at temperature close to Th =0.5Tm. The changes in resistivity of the deformed and later recovered samples were measured. The recovery time was 1, 2, 3, 4 or 5 min. The observed changes were correlated with reorganization of arrangement of lattice defects during annealing.

PL

Przeprowadzone badania dotyczyły analizy zmian struktury defektów sieciowych, zachodzących w początkowym okresie zdrowienia metali RSC (Al, Cu) oraz HZ (Ti, Mg oraz Zn) w temperaturze zblizonej do T=0.5 Tm. Badano zmiany oporu właściwego odkształconych próbek poddanych zdrowieniu przy czasach 1, 2, 3, 4 lub 5 min. Obserwowane zmiany skorelowano z reorganizacja struktury defektów sieciowych podczas wyżarzania. Uzyskane wyniki pokazały, że w przypadku metali o sieci RSC spadek oporności właściwej w funkcji czasu zdrowienia maleje monotonicznie, co świadczy o postępującej anihilacji defektów strukturalnych. Dla sieci HZ stwierdzono, że zmiany te mają charakter oscylacyjny z minimum występującym po czasie około 1-2 min. Świadczy to o rekonfiguracji defektów sieciowych i tworzeniu się w początkowym stadium zdrowienia złożonych, niestabilnych termodynamicznie struktur (układy wakancji, petle, zarodki dyslokacji), które powodują chwilowy efekt oczyszczenia struktury i w konsekwencji spadek oporu właściwego poniżej poziomu właściwego dla struktury całkowicie poddanej zdrowieniu, charakteryzującej się równowagową koncentracją wakancji.

7

Effect of Cooling Rate on Magnetic Properties, Size and Type of Structural Defects in the Volume of Bulk Amorphous Fe36 Co36 B19 Si5 Nn4 Alloy in the Form of Rods of Various Diameters

Nabiałek M., Dobrzańska-Danikiewicz A., Lesz S., Pietrusiewicz P., Szota M., Dośpiał M.

Archives of Metallurgy and Materials

|

2014

|

Vol. 59, iss. 1

263--268

EN

This paper presents the results of microstructure and magnetic properties analysis for bulk amorphous samples of Fe36 Co36 B19 Si5 Nn4 alloy in the form of rods of 1 mm, 2 mm, and 3 mm diameters in the as-cast state, produced using the method of injecting liquid alloy into cooled copper mold. The main purpose of the research was to examine the effect of solidification speed of the liquid material into amorphous state on the shape of initial magnetization curve as well as to determine the type and size of structural defects occurring in the volume of the material. In order to achieve these objectives, the magnetization measurements were carried out, which according to H. Kronmüller’s theory on magnetization behavior near the area called reaching the ferromagnetic saturation, allow to determine the type, size, and surface density of structural defects occurring in the volume of the sample. The analysis of reduced magnetization curves indicates that solidification speed of the liquid alloy into the amorphous state is the main determining factor for the shape of initial magnetization curve and for the type and size of structural defects formed in the sample, which affects such magnetic parameters as: coercive field (HC) or saturation magnetization (MS).

PL

W pracy przedstawiono wyniki badań mikrostruktury oraz właściwości magnetycznych masywnego stopu amorficznego Fe36 Co36 B19 Si5 Nn4 w stanie po zestaleniu. Próbki stopu zostały wytworzone w postaci prętów o średnicy 1 mm, 2 mm i 3 mm przy zastosowaniu metody wtłaczania ciekłego materiału do miedzianej formy chłodzonej wodą. Mikrostrukturę próbek w stanie po zestaleniu badano wykorzystując dyfrakcję promieni Rontgena. natomiast magnetyzację w silnych polach magnetycznych mierzono wykorzystując magnetometr wibracyjny (VSM). Głównym celem pracy było zbadanie wpływu czasu zestalania ciekłego materiału do stałego stanu amorficznego na przebieg pierwotnej krzywej magnesowania oraz określenie rodzaju i wielkości defektów strukturalnych występujących w badanych próbkach.

8

Teoria domieszkowania w badaniach struktury defektów i własności transportowych tlenków i siarczków metali przejściowych

Grzesik Z.

Ochrona przed Korozją

|

2013

|

nr 11

534--537

PL

W pracy przedstawiono teoretyczne podstawy oraz weryfikację eksperymentalną nowatorskiej metody określania stężenia i ruchliwości dominujących defektów punktowych w tlenkach i siarczkach metali przejściowych. Istota proponowanej metody sprowadza się do badania struktury defektów i własności transportowych tlenków i siarczków metali na drodze pośredniej, tj. badając wpływ różnowartościowych domieszek na kinetykę powstawania tych związków. Wykazano, że analiza wyników utleniania odpowiednio dobranych stopów dwuskładnikowych pozwala na wyznaczenie entalpii i entropii powstawania i migracji defektów. W oparciu o te dane istnieje możliwość obliczenia stężenie defektów oraz ich ruchliwość w czystych, tzn. niedomieszkowanych materiałach tlenkowych, co przedstawiono na przykładzie niestechiometrycznego tlenku niklu, Ni1-yO.

EN

The theoretical basis and experimental verification of novel method, enabling the calculation of point defect concentration and their mobility in transition metal oxides and sulphides have been presented. The idea of proposed method consists in determination of the defect structure and transport properties of metal oxides and sulphides in indirect way, i.e. in studying the influence of aliovalent metallic additions on the oxidation kinetics of a given metal. It has been shown that from the results of oxidation kinetics of binary alloys, the enthalpy and entropy of defect formation and their migration can be calculated. These data, in turn, can be used for the calculation of defect concentration and defect mobility in pure, undoped oxides. Such a possibility has been illustrated on the example of nonstoichiometric nickel oxide, Ni1-yO.

9

Point defects in the B2 - phase region of the Fe-Al system studied by Mössbauer spectroscopy and X-ray diffraction

Hanc-Kuczkowska A.

Nukleonika

|

2013

|

Vol. 58, No. 1

123-126

EN

In this work Mössbauer spectroscopy and X-ray powder diffraction was used to study of point defects formation in intermetallic phases of the B2 structure of the Fe-Al system as a function of Al concentration. The results are compared with the concentrations of point defects determined from positron annihilation data. The values of the 57Fe isomer shift and quadrupole splitting for the components describing the point defects in the local environment of a Mössbauer nuclide are presented. The concentration of the Fe vacancies and Fe atoms substituting Al (i.e. anti-site atom, Fe-AS) are determined. The results show that an increase in Al content causes an increase in vacancy and Fe-AS concentrations.

10

Identyfikacja centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC

Kozubal Michał

Materiały Elektroniczne

|

2013

|

T. 41, nr 1

3--9

PL

W celu identyfikacji konfiguracji atomowej radiacyjnych centrów defektowych próbki warstw epitaksjalnych 4H-SiC napromieniowano elektronami o energii 1,5 MeV. Energię aktywacji termicznej oraz pozorny przekrój czynny na wychwyt nośników ładunku centrów defektowych wyznaczano za pomocą niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej DLTS. Określono wpływ temperatury warstwy epitaksjalnej podczas napromieniowania dawką 1 x 1017 cm-2 na koncentrację powstałych pułapek. Na tej podstawie zaproponowano modele opisujące ich konfigurację atomową.

EN

In order to identify the atomic configuration of radiation defect centers the samples of 4H-SiC epitaxial layers were irradiated with 1.5 MeV electrons. The thermal activation energy and the apparent capture cross-section of the charge carriers of the defect centers were determined using deep level transient spectroscopy (DLTS). The influence of the temperature of the epitaxial layer during its irradiation with the electron dose of 1 x 1017 cm-2 on the concentration of generated traps was determined. On this basis, the models of their atomic configuration were proposed.

11

Doped cap layer effect on impurity-free vacancy enhanced disordering in InGaAs/InP quantum well structures

An Y. P., Wang Y. D., Cao F.

Optica Applicata

|

2010

|

Vol. 40, nr 1

249--254

EN

Strong influence on impurity-free vacancy enhanced disordering by the cap layer doping is studied on the InGaAs/InP quantum well structure with a doped cap layer. The observations are consistent with intermixing experiments using both Si3N4 and SiO2 as encapsulation dielectric layers. The largest intermixing occurs in the n-InP capped samples and is explained by the enhancement in out-diffusion of positive ions by the built-in electric field.

12

The influence of heat treatment on point defect concentration in Fe-Al and Fe-Al-Cr systems

Kansy J., Hanc A., Giebel D.

Nukleonika

|

2010

|

Vol. 55, No. 1

21-25

EN

FeAl alloys of nominal Al content 28, 38 and 45 at.% and Fe28Al5Cr with minor alloying elements added to improve their application properties are studied by positron annihilation lifetime analysis. The lifetime spectra of samples FeXAl with X greater-than or equal to 38 (both quenched and cooled with furnace) are described by a single lifetime component related to the saturated positron trapping by quenched-in vacancies of concentration much higher than 100 ppm. A very strong dependence of retained vacancy concentration on the rate of cooling is shown for Fe28Al and Fe28Al5Cr alloys. After quenching, the concentration is of the order of 10.4 whereas in samples slowly cooled it is reduced to 10.5. The chromium addition to Fe28Al5Cr dismisses the vacancies concentration in comparison to the concentration in Fe28Al after the same heat treatment.

13

Deep-level defects in epitaxial 4H-SiC irradiated with low-energy electrons

Kaminski P., Kozubal M., Caldwell J. D., Kew K. K., Van Mil B. L., Myers-Ward R. L., Eddy C. R. jr., Gaskill D. K.

Materiały Elektroniczne

|

2010

|

T. 38, nr 3-4

26-34

EN

Deep level transient spectroscopy (DLTS) has been applied to study defect centers in the epitaxial layers of nitrogen-doped n-type 4H-SiC before and after the irradiation with a dose of 1.0x1017 cm-2 of 300-keV electrons. It is shown that the minority carrier lifetime in the as-grown epilayers is predominantly affected by the Z1/2 center concentration. The capture cross-section of the Z1/2 center for holes is found to be ˜ 6.0x10-14 cm2. We have tentatively attributed the center to the divacancy VCVSi formed by the nearest neighbor silicon and carbon vacancies located in different (h or k) lattice sites. The substantial increase in the Z1/2 center concentration induced by the low-energy electron irradiation is likely to be dependent on both the residual concentration of silicon vacancies and nitrogen concentration in the as-grown material. Four irradiation-induced deep electron traps with the activation energies of 0.71, 0.78, 1.04 and 1.33 eV have been revealed. The 0.71-eV trap, observed only in the epilayer with a higher nitrogen concentration of 4.0x1015 cm3, is provisionally identified with the complex defect involving a dicarbon interstitial and a nitrogen atom. The 0.78-eV and 1.04-eV traps are assigned to the carbon vacancy levels for VC (2-/-) and VC (-/0), respectively. The 1.33-eV trap is proposed to be related to the dicarbon interstitial.

PL

Niestacjonarną spektroskopię pojemnościową (DLTS) zastosowano do badania centrów defektowych w domieszkowanych azotem warstwach epitaksjalnych 4H-SiC typu n przed oraz po napromieniowaniu dawką elektronów o energii 300 keV, równą 1,0x1017 cm3. Pokazano, że czas życia mniejszościowych nośników ładunku w warstwach nienapromieniowanych jest zależny głównie od koncentracji centrów Z1/2. Stwierdzono, że przekrój czynny na wychwyt dziur przez te centra wynosi ˜ 6x1014 cm2. W oparciu o dyskusję wyników badań przedstawionych w literaturze zaproponowano konfigurację atomową centrów Z1/2. Stwierdzono, że centra te są prawdopodobnie związane z lukami podwójnymi VCVSi, utworzonymi przez znajdujące się w najbliższym sąsiedztwie luki węglowe (VC) i luki krzemowe (VSi) zlokalizowane odpowiednio w węzłach h i k lub k i h sieci krystalicznej 4H-SiC. Otrzymane wyniki wskazują, że przyrost koncentracji centrów Z1/2 wywołany napromieniowaniem elektronami o niskiej energii zależny jest zarówno od koncentracji luk krzemowych, jak i od koncentracji azotu w materiale wyjściowym. Wykryto cztery pułapki elektronowe charakteryzujące się energią aktywacji 0,71 eV, 0,78 eV, 1,04 eV i 1,33 eV powstałe w wyniku napromieniowania. Pułapki o energii aktywacji 0,71 eV, które wykryto tylko w warstwie epitaksjalnej o większej koncentracji azotu równej 4x1015 cm-3, są prawdopodobnie związane z kompleksami złożonymi z atomów azotu i dwóch międzywęzłowych atomów węgla. Pułapki o energii aktywacji 0,78 eV i 1,04 eV przypisano lukom węglowym znajdującym się odpowiednio w dwóch różnych stanach ładunkowych VC(2-/-) i VC(-/0). Pułapki o energii aktywacji 1,33 są prawdopodobnie związane z aglomeratami złożonymi z dwóch międzywęzłowych atomów węgla.

14

Zjawisko Ludersa w aluminium wyciśniętym metodą KOBO

Brzostowicz A., Korbel A., Bochniak W., Błaż L., Suder W.

Rudy i Metale Nieżelazne

|

2009

|

R. 54, nr 11

663-665

PL

Druty z technicznie czystego aluminium otrzymane "na zimno" w procesie wyciskania KOBO, podczas rozciągania charakteryzują się trzema rodzajami zachowań: 1 - szybką lokalizacją odkształcenia pogłębiającą się do postaci szyjki, 2 - odkształceniem typu Ludersa, 3 - monotonicznym przebiegiem. Odpowiadają one początkowi, środkowi i końcowi wyrobu. Pytania o powody wystąpienia oraz mechanizm ujawnionego zjawiska Ludersa, stały się inspiracją niniejszego artykułu.

EN

Wires made of technically pure aluminum obtained on the way of extrusion in "cold" conditions with KOBO method are characterized during tensile test by three types of behaviour: 1 - fast deformation localization getting more and more advanced towards a form of bottleneck, 2 - Luders type deformation, 3 - monotonic run. They correspond to the beginning, middle and the end of the product. The questions about the reasons why it is observed and what is the mechanism of revealed Luders phenomenon were the inspiration for making present study.

15

Enthalpy of Formation of Point Defects in Nonstoichiometric Oxides

Stokłosa A.

Polish Journal of Chemistry

|

2009

|

Vol. 83, nr 8

1455-1462

EN

The relationship between the enthalpies of point defects formation, Delta Hdef, and cohesive enthalpy, Delta HMa / bO , in metal oxides exhibiting high departure from the stoichiometric composition has been discussed. It was found that the enthalpy of point defects formation during the change of the oxygen activity is strongly correlated with the change of cohesive enthalpy upon in corporation or liberation of oxygen from the crystal. Based on the relationship between the cohesive enthalpy and crystal composition, a new method of determination of enthalpy of point defects formation has been proposed. The obtained results remain in agreement with experimentally observed negative values of Delta Hdef corresponding to the formation of either cation vacancies or defect complexes in Fe1-yO and Mn1-yO, and positive values of enthalpy, Delta HVO , in the case of formation of oxygen vacancies in metal oxides such as M2O3-x and MO2-x.

16

Defect Structure and Transport Properties of Nonstoichiometric Metal Sulphides

Grzesik Z.

Polish Journal of Chemistry

|

2009

|

Vol. 83, nr 8

1423-1436

EN

The present paper is an attempt to discuss the results of studies on the defect structure and transport properties of nonstoichiometric metal sulphides, obtained in the recent decade. These physicochemical properties of metal sulphides remain still less known than those of corresponding oxides. Such situation results mainly from much greater experimental difficulties in studying the high-temperature heterogeneous reactions in sulphur-containing atmospheres. Sulphur vapours are, namely, extremely aggressive at high temperatures and as a consequence, all standard thermogravimetric and other equipments commonly used in oxidation studies are not applicable under such conditions. This experimental restriction has been over came recently by the development of novel microthermogravimetric assemblies, enabling the determination of the kinetics of mass changes of a given sample with the accuracy of about two orders of magnitude higher than in all other thermogravimetric equipments. In addition, these assemblies make it possible to study the concentration and the mobility of point defects in metal sulphides showing not only large, but also very low deviation from stoichiometry. As a consequence, important in formation on physicochemical properties of metal sulphides can be obtained in rather simple way by two microthermogravimetric techniques, i.e. re-equilibration and two-stage kinetic methods, with the accuracy difficult to attain using other, much more complicated and time consuming methods. It has been shown that the results obtained using both these methods may be useful in studying transport properties of nonstoichiometric metal sulphides and thereby in designing novel high temperature alloys, better resistant to sulphide corrosion.

17

Peculiarities of neutron interaction with boron containing semiconductors

Didyk A. Y., Hofman A., Szteke W., Hajewska E., Vlasukova L. A.

Nukleonika

|

2009

|

Vol. 54, No. 3

163-168

EN

Abstract. The results of point defect creation calculation in B4C, BN and BP semiconductor single crystals irradiated in the fast neutron reactor IBR-2 are presented. It has been shown that during the thermal neutron interaction with light isotope boron atoms (10B) the damage creation by means of fission nuclear reaction fragments (alfa-particles and 7Li recoil nuclei) exceeds the damage created by fast neutrons (En greater than 0.1 MeV) by more than two orders of value. It has been concluded that such irradiation can create a well developed radiation defect structure in boron-containing crystals with nearly homogeneous vacancy depth distribution. This may be used in technological applications for more effective diffusion of impurities implanted at low energies or deposited onto the semiconductor surface. The developed homogeneous vacancy structure is very suitable for the radiation enhanced diffusion of electrically charged or neutral impurities from the surface into the technological depth of semiconductor devices under post irradiation treatment.

18

Badanie defektów punktowych w objętościowych monokryształach 6H-SiC otrzymanych metodą transportu fizycznego z fazy gazowej

Kozubal M., Kamiński P., Kozłowski R., Pawłowski M., Hofman W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2008

|

Vol. 49, nr 1

22-25

PL

Metoda niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej (DLTS) została zastosowana do badania właściwości centrów defektowych w domieszkowanych azotem objętościowych kryształach 6-H SiC, otrzymanych metodą transportu fizycznego z fazy gazowej. Określono wpływ koncentracji donorów spowodowanych obecnością atomów azotu na koncentrację i parametry głębokich centrów defektowych. Badania uzupełniające, przeprowadzone metodą elektronowego rezonansu spinowego (ESR), potwierdziły różną koncentrację atomów azotu w kryształach 6H-SiC otrzymanych przy różnym cząstkowym ciśnieniu azotu w komorze krystalizacji.

EN

In this paper we report new experimental results, obtained by deep-level transient spectroscopy (DLTS) on electronic properties of defect centres in nitrogen-doped 6H-SiC bulk crystals grown by the physical vapour transport (PVT) technique. In particular, the effect of the net donor concentration on the concentrations of deep-level defects is investigated. Complementary studies were performed by electron spin resonance (ESR) measurements.

19

Computer simulation of magnetoplasticity dislocation motion in magnetic and stress fields

Alshits V., Kotowski R., Tronczyk P.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2007

|

R. 83, nr 7-8

89-92

EN

The magnetoplasticity effect (MPE) was discovered in 1985 at the Institute of Crystallography in Moscow, Russia. It was checked many times in different materials, confirmed in independent laboratories and described in a number of papers. The experimental studies were conducted on the samples of the alkali compounds, nonmagnetic metals and semiconductors. The results of the computer simulations of the effect are presented.

PL

Zjawisko magnetoplastyczności (M)E zostało odkryte w roku 1985 w Instytucie Krystalografii w Moskwie, Rosja. Zostało ono stwierdzone wielokrotnie w różnych materiałach i potwierdzone licznymi publikacjami niezależnych grup badawczych. Prace doświadczalne prowadzono z próbkami związków alkalicznych, metali niemagnetycznych i półprzewodników. Tu przedstawiono wyniki komputerowych symulacji MPE.

20

Distinguishing and identification of point and extended defects in DLTS measurements

Gelczuk Ł., Dąbrowska-Szata M., Jóźwiak G.

Materials Science Poland

|

2005

|

Vol. 23, No. 3

625--641

EN

The convenient and simple criteria which enable us to distinguish between deep level point and extended defects (e.g. dislocations) in DLTS measurements have been proposed. This approach is based on earlier reports of several authors and our own experiences in the field of DLTS measurement data analysis, for III-V semiconductors. It consists of standard DLTS measurements widened by line shape and line behaviour analysis as well as capture kinetics measurements. In the first part, the paper includes a survey of the literature on analysis of the DLTS-signal coming from dislocations. In the second part, selected experimental data on distinguishing and identification of deep point and extended defects, detected in GaAs/GaAs and InGaAs/GaAs heterostructures, have been presented.