Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: plazma w.cz.

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Ultra-płytka implantacja fluoru z plazmy w.cz. jako metoda poprawy właściwości elektro-fizycznych struktur MIS z dielektrykami bramkowymi wytwarzanymi metodą PECVD

Kalisz M., Mroczyński R., Beck R. B.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2011

Vol. 52, nr 2

20-26

W pracy przedstawiono analizę zmian parametrów elektrycznych i niezawodnościowych, jakie wprowadza obecność bogatej we fluor warstwy w strukturze bramkowej układu MOS (MIS] z dielektrykami bramkowymi wytwarzanymi metodą PECVD. Powierzchnia podłoży krzemowych przed wykonaniem struktur testowych poddana została odmiennie, niż spotyka się to najczęściej w literaturze, procesom ultra-płytkiej implantacji jonów z plazmy CF₄. Uzyskane wyniki wskazują, że badane układy MOS (MIS), wykonane na zmodyfikowanych podłożach krzemowych, charakteryzują się mniejszymi (co do wartości bezwzględnej) wartościami napięcia płaskich pasm (UFB) oraz ładunku efektywnego (Qeff) w porównaniu do struktur referencyjnych. Nie zmienia się natomiast znacząco gęstość stanów powierzchniowych w środku pasma energii zabronionej krzemu (Ditmb). Wprowadzenie fluoru w obszar graniczny półprzewodnik/dielektryk struktur MOS (MIS) powoduje w konsekwencji także nieznacznie zmniejszenie wartości przenikalności elektrycznej warstw dielektrycznych.

In this work, the analysis of changes in electro-physical and reliability properties, which introduce fluorine-rich dielectric layer formed in the gate of MOS (MIS] structures with PECVD dielectric layers, has been reported. In contrary to commonly found in literature ways, ultra-shallow fluorine implantation from CF₄ plasma of silicon substrates, before the fabrication of test structures, was performed. Presented results have shown, that investigated MOS (MIS) structures, fabricated on modified silicon substrates, are characterized by lower (in absolute values) flat-band voltage (UFB) and effective charge (Qeff) values in comparison to reference structures. Moreover, interface states density in the middle of silicon forbidden band values (Ditmb do not seem to differ significantly In consequence, introduction of fluorine into the semiconductor/dielectric interface of MOS (MIS] structure results in a small decrease of permittivity constant of PECVD dielectric layers.

Badanie wpływu konfiguracji elektrody na rozkład pola świecenia wyładowania wielkiej częstotliwości

Grabarczyk J., Lewandowski P.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2005

Vol. 46, nr 6

25-26

Przedstawiono badania wykorzystujące zjawisko optycznej emisji plazmy wielkiej częstotliwości do diagnozowania warunków istniejących w obszarze wyładowania plazmo-chemicznego odpowiedzialnego za powstawanie warstwy. Badania polegały na rejestracji widzialnego widma wyładowania jarzeniowego za pomocą zwykłej kamery CCD. Uzyskane obrazy następnie poddano obróbce komputerowej. Za pomocą metod analizy obrazu dokonano transformacji zarejestrowanych zdjęć w taki sposób, aby wyodrębnić w pobliżu powierzchni poddawanych modyfikacji granice zawierające obszary plazmy o różnej intensywności świecenia.

At this work were presented examinations, which take advantage of the optical emission of the high frequency plasma phenomenon to diagnose conditions at the area of plasmo-chemical discharge which are responsible for the coatings deposition. These examinations were executed by registration of visible spectrum of glow discharge using the regular CCD camera. Obtained pictures were put to the computer processing. Using the images analysis methods the transformation of registered pictures were made. This proceedings were conducted to point the optimal sample position in the plasma discharge area.