Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Przegląd Elektrotechniczny

1 2011

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: plasma surface processing

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Bonding of silicon and crystal quartz wafers at the minimized residual stresses

Zimin Y., Ueda T., Pawłat J.

Przegląd Elektrotechniczny

2011

R. 87, nr 8

239-242

In this work, strong low-temperature bonding of silicon and crystalline quartz wafers, effecting in mechanical strength, which is close to initial materials has been described. High bonding strength is associated with minimization of the residual stresses, optimization of surface activation, and application of an electric field during annealing. The bonding has a wide application field because both, silicon and crystalline quartz are key materials for many devices including generators, high frequency filters, gyroscopes, microbalances of high stability, etc.

W pracy przedstawiono proces uzyskiwania silnych połączeń spajalnych płytek kwarcowych i silikonowych w niskiej temperaturze. Mechaniczna wytrzymałość połączeń jest bliska wytrzymałości materiałów wyjściowych. Wysoka wytrzymałość połączenia wynika z minimalizacji naprężeń własnych materiału, z optymalnego procesu aktywacji powierzchni płytek oraz z zastosowania pola elektrycznego podczas procesu wygrzewania. Polaczenia tego typu mogą być szeroko stosowane gdyż zarówno kwarc krystaliczny jak i silikon wykorzystywany jest do wyrobu szeregu urządzeń; w tym, w mikro i nanotechnologiach.