Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  plasma sputtering
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
EN
In the present work, an effect of plasma-forming parameters on light emission during analysis by glow discharge optical emission spectrometry of Ni–Cu model alloys is studied. To evaluate the effects of plasma-forming parameters on light emission, argon pressure was varied in the range between 600 Pa and 1000 Pa under a constant power of 20 W. Moreover, a variation of power at 20 W and 30 W under a constant Ar pressure of 1000 Pa was investigated. An effect of the element content on light emission was found. Namely, for Cu, a monotonic, non-linear increase in measured light intensity with an increasing Cu content was found. Surprisingly, for pure Ni, a lower light intensity was measured as for Ni90–Cu10 (at.%). Possible reasons causing this was listed as: (i) possible effect of hydrogen, (ii) overlapping of lines for Cu and Ni and (iii) self-absorbing of Ni line at 341.574 nm.
2
Content available remote Chłodzony wodą zasilacz prądu stałego do zasilania magnetronu
PL
W artykule zaprezentowano nowe rozwiązanie przemysłowego układu zasilacza prądu stałego przystosowanego do zasilania magnetronu stosowanego w procesach napylania plazmowego. Prezentowane rozwiązanie cechują następujące oryginalne rozwiązania: układ kompensacji długości przewodów zasilających magnetron czy chłodzenie urządzenia wodą z wewnętrznym obiegiem powietrza. Przyjęte rozwiązania techniczne pozwoliły uzyskać doskonałe parametry użytkowe, małe gabaryty i masę urządzenia, a także długi czas życia zasilacza w trudnych warunkach przemysłowych.
EN
The paper presents new solution of power supplies which supply magnetron for plasma sputtering application. The presented solution has a number of such innovations as water-cooling and the CompensateLine circuit and cause the system has such advantages as small size, small weight and the possibility of the long use. Also a correct work was shown at voltage dip, and other parameters being located in a norm concerning the quality of the system work. These features of the presented power supply are essential at using in the photovoltaic industry as well as in other branches of industry, where is being used plasma sputtering.
EN
Thanks to unique electrophysical properties, in particular piezoelectricity, a high dielectric constant and refractive index values, barium titanate (BaTiO₃ or BT] ceramic has been one of the most extensively investigated dielectric materials for electronic applications. This work presents barium titanate thin films, deposited on silicon substrates by means of Radio Frequency Plasma Sputtering (RF PS]. The BT samples were annealed in the presence of oxygen in the range of the temperature from 300 °C to 80O °C. We studied an influence of trie annealing process on structural and electrical properties of BT thin films. In order to obtain metal-insulator-semiconductor (MIS) structures, aluminum (Al] electrodes were evaporated on the top of both types of films (non-annealed and annealed). Electrical characterizations of MIS capacitors were investigated using current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V] measurements. The surface of both types of BT films was studied using scanning electron microscopy (SEM) and atomic force microscopy (AFM) techniques. Our results showed that annealing temperature in an oxygen atmosphere affected on crystal Unity, surface morphology and topography of BT films and also on their electrical properties.
PL
Dzięki unikatowym właściwościom elektrofizycznym. w szczególności piezoelektryczności, dużej wartości przenikalności dielektrycznej i współczynnika załamania światła, tytanian baru (BaTiO₃, BT] był jednym z najintensywniej badanych materiałów do zastosowań w elektronice. W tej pracy przedstawiono cienkie warstwy tytanianu baru wytworzone na podłożach krzemowych techniką rozpylania targetu w plazmie o częstotliwości radiowej. Próbki BT poddano procesom wygrzewania w atmosferze tlenu, w zakresie temperatur od 300 do 300°C. Na potrzeby pomiarów elektrycznych na powierzchnię warstw BT (niewygrzewanych i wygrzewanych) naparowano próżniowo glin. Powstała w ten sposób struktura MIS (metal-dielektryk-pólprzewodnik) z warstwą dielektryka z BaTiO3. Wykonane zostały pomiary prądowo-napięciowe (I-V] i pojemnościowe-napięciowe (C-V) dla uzyskanych kondensatorów MIS Powierzchnie obu typów warstw badano przy użyciu skaningowej mikroskopii elektronowej oraz mikroskopii sił atomowych. Przeprowadzone badania pokazały, że temperaturę wygrzewania w atmosferze tlenu wpływa na krystaliczność, morfologię i topografię powierzchni warstw BT oraz na ich właściwości elektryczne.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.