Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 2001

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: plasma enhanced chemical vapour deposition

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

UHV plasma enhanced CVD system for preparation of new generation amorphous silicon based efficient solar cells

Jonas S., Rava P., Stapinski T., Walasek E.

Opto-Electronics Review

2001

Vol. 9, No. 1

91-95

Plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD) is used in the deposition of various thin films such as amorphous silicon, nitrides, oxides and diamond-like carbon. The authors succeeded in preparation of photovoltaic intrinsic a-Si : H with density of 10¹⁶ cm⁻³ and high photocontuctivity gain. These films are the constituents of homojunction p-i-n solar cells or heterojunction type with silicon-carbon window layer of efficiency over 10%. The microwave plasma chemical vapour deposition (MWCVD) seems to be a promising method for the deposition of passivation layers.

Amorphous a-C:N:H layers formation by Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition.

Dul K., Łagosz I., Jonas S., Ptak W.

Inżynieria Materiałowa

2001

R. XXII, nr 4

296-298

Amorphous a-C:N:H layers were deposited at room temperature on (100) silicon, quartz glass, steel substrates by RFCVD (radio frequency chemical vapour deposition) and MWCVD (microwave chemical vapour deposition). A gas mixture of methane, nitrogen and argon is used as the reactive gas. The films have been characterised by XPS, FTIR.

Amorficzne warstwy a:C:N:H na (100) krzemie, kwarcowym szkle i stali otrzymano w pokojowej temperaturze metodą chemicznego osadzania z fazy gazowej wspomaganej plazmą o częstotliwości radiowej oraz mikrofalowej. Jako reagenty stosowano mieszaninę metanu, azotu i argonu. Skład chemiczny i strukturę warstw badano rentgenowską spektoskopią fotoelektronów (XPS) i fourierowską spektroskopią w podczerwieni (FTIR).