This paper presents an overview of fundamental techniques for planar junction formation in HgCdTe infrared detectors. At the beginning, the evolution of HgCdTe photodiode performance is presented. Further considerations are restricted to modern methods of p-n junction formation, so the current state of the art of different types of HgCdTe photodiodes is presented. The comparison of theoretical and experimental results for planar HgCdTe photodiodes is finally described.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.