Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: piezorezystancja

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Anizotropia trawienia i piezorezystancji w kryształach półprzewodników : przykłady wykorzystania w przyrządach MEMS

Łysko J. M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2008

Vol. 49, nr 2

77-87

Podstawowe właściwości krystalograficzne zostały zaczerpnięte z literatury do opisu anizotropowych właściwości kryształu krzemu-anizotropowego trawienia i zjawiska piezorezystancji, które również jest funkcją kierunku krystalograficznego. Te właściwości anizotropowe są szeroko stosowane w krzemowych technologiach MEMS. Stosując model dwuwektorowego anizotropowego trawienia w roztworach alkalicznych można wyjaśnić powody różnic szybkości trawienia w różnych kierunkach krystalograficznych krystalicznego podłoża, jak również prawie idealnie atomowąjakość powierzchni uzyskiwaną po anizotropowym trawieniu. Model piezorezystancji zaproponowany przez Bira i Pikusa został wykorzystany do oszacowania współczynników piezorezystancji technologii opracowanej w ITE dla czujników przyspieszenia i ciśnienia. Zaprezentowano kilka przykładów krzemowych struktur wytworzonych przy użyciu trawienia anizotropowego.

Basic crystalographic properties from the literaturę are taken to describe two anisotropic properties of the silicon crystal-anisotropic etching and piezoresistance effect, which is also crystal direction dependent. These anisotropic properties are widely used in silicon MEMS techology. Two-vector model of anisotropic etching in alkaline solution is proposed. With use of this model one can explain difference between etch rates in different crystallographic directions of the crystal substrate, as well as almost perfect atomie grade surface quality obtained after anisotropic etching. Bir and Pikus piezoresistance model is applied to estimate piezoresistance coefficients for the given technology developed for the acceleration and pressure sensors in ITE. Several examples of the silicon chips which were fabricated with use of etching anisotropy phenomena are presented.