Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Polimery

1 1999

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: physical background

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Zastosowanie metody spektroskopii fotoelektronowej w badaniach profilu wgłębnego folii polipropylenowej

Gołębiewski J., Żenkiewicz M.

Polimery

1999

T. 44, nr 4

246-254

Scharakteryzowano podstawy fizyczne spektroskopii fotoelektronowej oraz zakres jej zastosowań. Opisano związek miedzy energią wiązania elektronów a przesunięciem chemicznym. Przedstawiono budowę spektrometru fotoelektronowego oraz jego głównych podzespołów, wskazując przy tym na znaczenie wysokiej próżni jaka musi być utrzymywana w spektrometrze podczas badań. Omówiono wyniki badań własnych dotyczących profilu wgłębnego warstwy wierzchniej aktywowanej folii polipropylenowej. Z badań tych wynika, że głębokość utleniania trzech badanych rodzajów folii wynosi kilkanaście nanometrów (tabela 5). Stopień utlenienia warstwy wierzchniej wzrasta wraz z jednostkową energią wyładowań niezupełnych i w warunkach jej wartości 75 000 J/m2 osiąga poziom 20% (rys. 8). Stwierdzono całkowitą zgodność wyników uzyskiwanych z zastosowaniem metody wg [25] i [26].

The physical fundamentals of photoelectron spectroscopy are reviewed and the range of applications is given. The features described include the relationship between electron bonding energy and chemical shift, results of testing the depth profile in the activated external layer of the PP surface, the arrangement of the spectrophotometer and its major subassemblies and the importance of vacuum to be maintained in the instrument during a test. Three PP films were examined and the depth of oxidation was found to be in the nanometer range (Table 5). The oxidation level of the external layer increases as the specific energy of corona discharges is increased, e.g., at 75 000 J/m2, oxidation is 20% (Fig. 8). The present results are consistent with those obtained by the calculation methods described in [25] and [26].