Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Analysis of back contact layers for flexible CdTe/CdS photovoltaic structures

Znajdek Katarzyna, Sibiński Maciej, Kubiak Andrzej, Ruta Łukasz, Lisik Zbigniew, Janczak Daniel

Opto-Electronics Review

|

2019

|

Vol. 27, No. 1

32--38

EN

The article shows the comprehensive results of the experiments, conducted in order to select the appropriate metal layers, for back absorber contacts, to apply in flexible, thin-film photovoltaic cells based on cadmium telluride. Preliminary selection of investigated materials was made on the basis of general knowledge and physical data. Deposition techniques, as well as layer parameters, were adjusted to the specific flexible solar cell’s needs. Selected metal layers were deposited either by physical vapour deposition (PVD) or screen-printing method (SP) and tested in terms of their flexibility, thermal resistance, as well as adhesion to CdTe layer. Practical verification of selected configurations is proved by the complete construction of the device.

2

Photoelectrical properties of photovoltaic structures based on CdTe/ZnO

Zielony E., Kamyczek P., Biegański P., Płaczek-Popko E., Pietruszka R., Łuka G., Godlewski M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2012

|

Vol. 53, nr 6

100-101

EN

The n-type ZnO layers were grown by ALD method on p-type CdTe substrate. I-V characteristics verified rectifying properties of the test ZnO/CdTe solar cell diode and exhibited photovoltaic effect when the junction was exposed to light. The series resistance of the diode, determined from the I-V curves, equals to 36 Ω. Such a high value is responsible for low value of fill factor and efficiency of the solar cell. Photoresponse properties of the studied junction were measured at room temperature. Efficient photoresponse was observed within wavelength range of 400-1000 nm. These results indicate that n-ZnO/p-CdTe junction is suitable for the fabrication of efficient solar cells. It was shown that the thickness of the ZnO layers can be also determined with the help of interference fringes of photoresponse analysis. Further work will involve a better understanding of the properties of window layer and junction formation processes.

3

Efektywne wartości współczynnika dyfuzji dla modelu domieszkowania dyfuzyjnego warstwy emiterowej ogniwa słonecznego

Filipowski W., Waczyński K., Wróbel E., Skwarek A., Drabczyk K.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 4

57-59

PL

Prawidłowy model procesu technologicznego daje możliwość przeprowadzenia symulacji, która w sposób wystarczająco dokładny będzie odzwierciedlała proces rzeczywisty. W niniejszej pracy przedstawiono wyniki badań nad efektywnymi wartościami współczynników dyfuzji dla modelu domieszkowania krzemu fosforem, przy założeniu niezależności współczynnika dyfuzji od koncentracji dyfundującej domieszki.

EN

The correct model of the technological process gives an opportunity to perform a simulation that reflects the real process accurately enough. This paper presents the results of research on effective values of the diffusion coefficient for the model of phosphorus doped silicon, assuming independency of the diffusion coefficient from the diffusion dope concentration.

4

Wykorzystanie mikroskopii sił atomowych w badaniach nad formowaniem powierzchni krzemowych ogniw słonecznych

Waczyński K., Filipowski W., Panek P., Drabczyk K., Olechowska A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2008

|

Vol. 49, nr 1

83-86

PL

Przedstawiono wyniki oceny wyglądu powierzchni krzemu mono i multikrystalicznego poddanego procesowi trawienia. Proces trawienia prowadzony byt w celu wytworzenia określonego typu tekstury lub utworzenia porów na powierzchni Si. Zabieg rozwinięcia powierzchni podłoży krzemowych jest podstawową operacją w technologii struktur fotowoltaicznych, umożliwiającą podniesienie sprawności przetwarzania energii w ogniwie. Do oceny wyglądu powierzchni wykorzystano mikroskop sił atomowych. Stwierdzono, że do poprawnej interpretacji uzyskanych obrazów konieczne jest wykonanie co najmniej kilku zdjęć tej samej powierzchni. Posługiwano się obrazami AFM: zmiennej siły inaczej błędu regulacji, obraz sił tarcia rejestrowany w kierunku skanowania, obraz sił tarcia rejestrowany przy ruchu powrotnym ostrza, topografii przedstawionej dwuwymiarowo, topografii przedstawionej trójwymiarowo. Uzyskane rezultaty potwierdziły przydatność testowanych mieszanin i procedur trawiących.

EN

The article describes the assessment of the physical state of mono and multicrystalline silicon surface etached. Etaching was used to create a specific texture or macropores (so called acidic textre) on SI surface. The process of texturizing silicon wafers is one of the basic operations of photovoltaic structure technologies which improves the performance of light conversion into energy in a PV cell through the minimization of radiation reflection from the silicon surface. The study focuses only on the first stage of PV cell fabrication. An AFM microscope was applied to the assessment of the physical state of silicon surface. It has been found that the correct interpretation of resuits requires several different AFM images of the same surface. The images used in the study concerned: a) changeable force, b) side friction forces, c) side friction forces determined when the pin moves in the opposite direction, d) topography, e) 3-D topography. The results confirmed the usefulness of the mixtures and etching procedures employed.