PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 4

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  phototransistor
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Porównanie właściwości dynamicznych wybranych czujników fotometrycznych
Ptak Przemysław, Górecki Krzysztof, Gensikowski Michał
Przegląd Elektrotechniczny
|
2020
|
R. 96, nr 12
110--114
PL
W pracy przedstawiono wyniki pomiarów parametrów dynamicznych dwóch arbitralnie wybranych czujników natężenia oświetlenia. Czujniki te wykonano z użyciem fotodiody oraz fototranzystora. Mogą być one wykorzystywane w systemach oświetleniowych jako źródło sygnału zwrotnego dla układów wykonawczych w postaci półprzewodnikowych źródeł światła. Za pomocą wykonanego układu pomiarowego zarejestrowano kształt napięcia na oświetlonych czujnikach fotometrycznych. Uzyskane wyniki badań zostały zaprezentowane i przedyskutowane.
EN
This paper presents the result of the measurements of the dynamic parameters of two arbitrarily selected photometric sensors. These sensors contain a photodiode or a phototransistor. These sensors could be used in lighting systems as a source of feedback for executive systems in the form of the semiconductor light sources. The waveform of voltage of illuminated photometric sensors has been recorded with the use of the authors’ measurement system. The obtained measurement results were presented and discussed.
2
Content available remote Porównanie właściwości statycznych wybranych czujników fotometrycznych
Ptak Przemysław, Gensikowski Michał, Kołodziejczyk Paweł, Górecki Krzysztof
Przegląd Elektrotechniczny
|
2019
|
R. 95, nr 10
138--141
PL
W pracy przedstawiono wyniki pomiarów parametrów statycznych czterech różnych czujników natężenia oświetlenia. Czujniki te mogą być wykorzystywane w systemach oświetleniowych jako źródło sygnału zwrotnego dla układów wykonawczych w postaci półprzewodnikowych źródeł światła. Za pomocą rozważanych czujników zmierzono parametry charakteryzujące promieniowanie emitowane przez pięć różnych źródeł światła. Uzyskane wyniki badań zostały zaprezentowane i przedyskutowane.
EN
This paper presents the result of the measurements of the static parameters of four different light intensity sensors. These sensors could be used in lighting systems as a source of feedback for executive systems in the form of the semiconductor light sources. Using considered light sensors, the radiation emitted by five different light sources was measured. The obtained results were presented and discussed.
3
Content available remote A new phototransistor with uni-travelling-carrier and optically gradual coupling properties
Wang L., Zhao L., Pan J., Zhang W., Wang H., Zhu H., Wang W.
Opto-Electronics Review
|
2009
|
Vol. 17, No. 3
242-246
EN
Based on appropriate combination of different band-gap InGaAsP, a new edge-coupled two-terminal double heterojunction phototransistor (ECTT-DHPT) was designed and fabricated, which is double heterojunction, free-aluminium, and works under uni-travelling-carrier mode and optically gradual coupling mode. This device is fully compatible with monolithic micro-wave integrated circuits (MMIC) and heterojunction bipolar transistor (HBT) in material and process. The DC characteristics reveal that the new ECTT-DHPT can perform good optoelectronic mix operation and linear amplification operation by optically biased at two appropriate value respectively. Responsivity of more than 52 A/W and dark current of 70 nA (when VEC = 1 V) were obtained.
4
Content available Photo-devices for optical controlling of microwave circuits
Szczepaniak Z.R., Galwas B.A.
Journal of Telecommunications and Information Technology
|
2001
|
nr 3
86-94
EN
The most important optical devices which can be used for controlling microwave circuits will be presented in the paper. The performance and the parameters of the devices such as semiconductor microwave optoelectronic switches, photodiodes and phototransistors were described. The influence of the optical illumination on their microwave parameters will be described in details, including the our own investigations and simulations results. Several applications of such devices and their potential possibilities will be presented.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.