Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: photothermal radiometry

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Metody fototermiczne i ich zastosowania - Wykład inauguracyjny roku akademickiego 2019/2020 na Wydziale Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej

Maliński Mirosław

Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej

2019

Nr 15

73--82

Praca przedstawia metody fototermiczne jakie są stosowane w badaniach materiałów półprzewodnikowych w Katedrze Elektroniki Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej. W pracy przedstawiono również badawcze stanowiska fototermiczne w Katedrze, a także uzyskane wybrane charakterystyki doświadczalne.

This paper presents photothermal methods which are used in the research of semiconductor materials in the Department of Electronics of the Faculty of Electronics and Computer Science of the Koszalin University of Technology. In this paper the experimental photothermal research set ups of the Department as also the chosen obtained experimental characteristics are presented.

Obrazowanie obszarów implantowanych w materiałach półprzewodnikowych z wykorzystaniem nieniszczącej techniki radiometrii w podczerwieni

Chrobak Ł., Maliński M.

Przegląd Elektrotechniczny

2017

R. 93, nr 8

92--94

W artykule przedstawione zostały zagadnienia dotyczące możliwości wykorzystania nieniszczącej techniki radiometrii w podczerwieni PTR (PhotoThermal Radiometry) do wizualizacji obszarów implantowanych w krzemie. Przedstawiony został szczegółowy opis zrealizowanego stanowiska eksperymentalnego. Zaprezentowano przykładowe wyniki badań, w formie mapy, rozkładu oraz przekroju amplitudy i fazy sygnału PTR, uzyskanych dla zbadanej implantowanej próbki krzemowej.

This paper presents issues connected with possibilities of the usage of the nondestructive infrared photothermal radiometry technique PTR (PhotoThermal Radiometry) for visualization of the implanted areas in silicon. Detailed description of the realized experimental set-up has been presented. Example results in the form of the maps and profiles of the amplitude and phase of the PTR signal obtained for the investigated sample have been presented.

Minority carrier recombination lifetimes in n-type CdMgSe mixed crystals measured by means of the photothermal infrared radiometry

Pawlak M., Maliński M.

Opto-Electronics Review

2014

Vol. 22, No. 1

31-35

Minority recombination lifetimes of n-type CdMgSe mixed crystals were estimated by using infrared photothermal radiometry (PTR) amplitude and phase frequency spectra. The results obtained by the PTR method indicate that the lifetimes of optically generated carriers in CdSe and CdxMg₁₋xSe crystals are about 0.1 μs. The diffusion length of minority carrier in n-type CdSe single crystal was found to be 4.42 μm and it is in a good agreement with the literature value. It was found that with the increasing thermal-to-plasma component coefficient A the carrier concentration increases as expected from PTR theory.