Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Przegląd Elektrotechniczny

1 2010

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: photoresis

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

AFM, ESR and optic study of Sb+ ions implanted photoresist

Azarko I., Bumai J., Volobuev V., Zhukovski P., Lukashevich M., Odzhaev V.

Przegląd Elektrotechniczny

2010

R. 86, nr 7

270-271

Structure, electron spin resonance and reflection coefficient in thin films (1.8 �Ęm) of photoresist implanted by 60 keV antimony ions have been investigated in the fluence range 1x1015 . 5x1016 cm-2. Formation carbonized layer at critical fluence 5x1016 cm-2 have been observed. Thickness of implanted layer determined as 0.27- 0.39 �Ęm and refraction coefficient changes in the range 2.4 . 3.4 depending on fluence implantation.

Badano strukturę, elektronowy rezonans spinowy oraz współczynnik odbicia cienkich powłok fotorezystu implantowanego jonami antymonu o energii 60 keV dawkami w zakresie 1x1015 – 5x1015 cm-2. Przy dawce krytycznej 5x1015 cm-2 zaobserwowano powstawanie warstwy osadu węgłowego. Określono grubość warstwy implantowanej: 0.27- 0.39 .m oraz zmiany współczynnika odbicia – w zakresie 2,4 - 3,4 w zależności od dawki implantacji.