PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 9

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  photon detectors
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available Niechłodzone detektory fotonowe z (Hg,Cd)Te promieniowania 10,6 μm
Niedziela T.
Autobusy : technika, eksploatacja, systemy transportowe
|
2018
|
R. 19, nr 12
795--801
PL
W artykule dokonano analizy niechłodzonych (T=300K) fotodiod (PC) i detektorów magnetoekskluzyjnch (EMCD) promieniowania 10,6 μm. Obliczenia wykazały, że optymalne parametry fotodiod takie jak grubość czy domieszkowanie dla struktury na podłożu z poszerzoną przerwą energetyczną są inne niż dla konstrukcji z kontaktami omowymi na obu jej końcach. Ustalono optymalne parametry detekcyjne elementów dla fotodiod i detektorów magnetoekskluzyjnych z (Hg,Cd)Te pracujących w temperaturze pokojowej.
EN
In range of 10.6 μm IR radiation an analysis of noncooled (T = 300 K) (PC) photodiodes and (EMCD) magnetoexlusion detectors with (Hg,Cd)Te was made. The basic detection parameters of these devices are limited by the noise resulting from statistical processes of thermal generation and carrier recombination. The parameter evaluation of related photodiodes demonstrates that the optimal parameters such as: thickness or structure doping on the substrate with a widened energy gap differs each other for structures with ohmic contacts at both ends. In the paper, for photodiodes and magnetoexclusion detectors with (Hg,Cd)Te the research results : optimal photosensitive detection parameters are presented for the room temperature (T=300 K) and acceptable large as well as small (5 and 0.5 W / mm2) densities of the dissipated power.
2
Content available Detektory fotonowe w warunkach pracy nierównowagowej
Niedziela T.
Autobusy : technika, eksploatacja, systemy transportowe
|
2017
|
R. 18, nr 12
611--615, CD
PL
W pracy przeanalizowano podstawowe problemy wąskoprzerwowych detektorów podczerwieni w warunkach pracy nierównowagowej. Interesującym sposobem podwyższenia parametrów detekcyjnych, jest tłumienie generacji termicznej, poprzez głębokie zubożenie półprzewodnika w nośniki ładunków. Stałe zubożenie półprzewodnika można uzyskać wykorzystując zjawiska ekskluzji, ekstrakcji i magnetoekskluzji (magnetokoncentracji). Zaprezentowano teoretyczne i uzyskane eksperymentalnie parametry detekcyjne detektora podczerwieni wykorzystującego zjawisko magnetoekskluzji w temperaturze pokojowej. Połączenie różnych metod mogłoby umożliwić pracę detektorów fotonowych w temperaturze pokojowej, których wykrywalność byłaby ograniczona szumem fotonowym tła (detektory typu BLIP).
EN
In the paper the basic problems of the narrow-gap infrared detectors were analyzed under unbalanced work conditions. There was shown that substantial manner improving of detecting parameters is limitations of thermal generation by mean the deep decreasing of current carriers. This can be done applying of exclusion, extraction or magneto-exclusion. Paper presents in this perspective the critical investigation of theoretical and experimental detecting parameters for the infrared detector which operate under magneto-exclusion at 300 K. Conclusion of carried out investigations is that applying at the same time exclusion and extraction in such infrared detectors allow to improve their parameters at 300 K, as then the detector photon noise can be substantially limited e.g. detectors BLIP type.
3
Content available remote (Hg,Zn)Te Photon Detectors of Thermal Radiation
Niedziela T.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2014
|
R. 90, nr 7
48--54
PL
Określono rozkład fali elektromagnetycznej w typowej strukturze detekcyjnej detektora fotonowego. Podano wzory na: współczynnik zewnętrznej wydajności kwantowej oraz rozkład intensywności promieniowania w elemencie fotoczułym. Obliczono maksymalne do uzyskania parametry detekcyjne fotorezystorów z (Hg,Zn)Te. Zilustrowano współczynnik zewnętrznej wydajności kwantowej oraz intensywność promieniowania w elemencie fotoczułym umieszczonym w optymalnej optycznej wnęce rezonansowej. Obliczono graniczne znormalizowane wykrywalności termiczne niechłodzonych (T=300K) detektorów fotonowych z (Hg,Zn)Te.
EN
Distribution of electromagnetic wave has been determined in a typical detection structure of a photon detector. Formulas have been given for: external quantum efficiency and distribution of radiation intensity in a photosensitive element. Maximal detection parameters of (Hg,Zn)Te photoresistors have been calculated. External quantum efficiency and radiation intensity in a photosensitive element located in the optimal optical resonance cavity have been illustrated. Ultimate normalized thermal detectivity of the uncooled (T=300K) (Hg,Zn)Te photon detectors has been calculated.
4
Content available remote History of infrared detectors
Rogalski A.
Opto-Electronics Review
|
2012
|
Vol. 20, No. 3
279-308
EN
This paper overviews the history of infrared detector materials starting with Herschel's experiment with thermometer on February 11th, 1800. Infrared detectors are in general used to detect, image, and measure patterns of the thermal heat radiation which all objects emit. At the beginning, their development was connected with thermal detectors, such as thermocouples and bolometers, which are still used today and which are generally sensitive to all infrared wavelengths and operate at room temperature. The second kind of detectors, called the photon detectors, was mainly developed during the 20th Century to improve sensitivity and response time. These detectors have been extensively developed since the 1940's. Lead sulphide (PbS) was the first practical IR detector with sensitivity to infrared wavelengths up to ~3 µm. After World War II infrared detector technology development was and continues to be primarily driven by military applications. Discovery of variable band gap HgCdTe ternary alloy by Lawson and co-workers in 1959 opened a new area in IR detector technology and has provided an unprecedented degree of freedom in infrared detector design. Many of these advances were transferred to IR astronomy from Departments of Defence research. Later on civilian applications of infrared technology are frequently called "dual-use technology applications." One should point out the growing utilisation of IR technologies in the civilian sphere based on the use of new materials and technologies, as well as the noticeable price decrease in these high cost technologies. In the last four decades different types of detectors are combined with electronic readouts to make detector focal plane arrays (FPAs). Development in FPA technology has revolutionized infrared imaging. Progress in integrated circuit design and fabrication techniques has resulted in continued rapid growth in the size and performance of these solid state arrays.
5
Podczerwień w praktyce
Grudzień M.
Nowa Elektrotechnika
|
2007
|
nr 10 (38)
1--6
6
Content available remote Optical detectors for focal plane arrays
Rogalski A.
Opto-Electronics Review
|
2004
|
Vol. 12, No. 2
221-245
EN
The paper presents progress in optical detector technologies during the past 25 years. Classification of two types of detectors (photon detectors and thermal detectors) is done on the basis of their principle of operation. The overview of optical material systems and detectors is presented. Also recent progress in different technologies is described. Discussion is focused mainly on current and the most rapidly developing focal plane arrays using: CdZnTe detectors, AlGaN photodiodes, visible CCD and CMOS imaging systems, HgCdTe heterostructure photodiodes, quantum well AlGaAs/GaAs photoresistors, and thermal detectors. The outlook for near-future trends in IR technologies is also presented.
7
Advanced technologies in development of optical detectors
Rogalski A.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2004
|
Vol. 45, nr 12
12-19
PL
W pracy przedstawiono postęp w rozwoju detektorów promieniowania optycznego w ciągu ostatniego ćwierćwiecza. Omówiono podstawy działania dwu grup detektorów (termicznych i fotonowych) stosowanych w szerokim zakresie widma optycznego. Przedyskutowano nowe tendencje rozwojowe w technologii i konstrukcji detektorów promieniowania X, promieniowania g[gamma] promieniowania ultrafioletowego i podczerwonego. Przedstawiono przykłady najbardziej spektakularnych osiągnięć w tym zakresie, dotyczące detektorów z CdZnTe, detektorów ultrafioletowych z AIGaN, matryc CCD i CMOS zakresu widzialnego, detektorów heterozłączowych z HgCdTe, fotorezystorów ze studni kwantowych układu AIGaAs/GaAs i bolometrów krzemowych.
EN
The paper presents progress in optical detector technologies during the past 25 years. Classification of two types of detectors (photon detectors and thermal detectors) is done on the basis of their principle of operation. The overview of optical material systems and detectors is presented. Also recent progress in different technologies is described. Discussion is focused mainly on current and the most rapidly developing focal plane arrays using: CdZnTe detectors, AIGaN photodiodes, visible CCD and CMOS imaging systems, HgCdTe heterostructure photodiodes, quantum well AIGaAs/GaAs photoresistors, and thermal detectors.
8
Współczesne detektory promieniowania podczerwonego dla potrzeb termografii
Więcek B.
Elektronika : prace naukowe
|
2002
|
nr 7
81-94
PL
W artykule przedstawiono podstawowe trendy rozwoju detektorów podczerwieni, w tym detektory termiczne - mikrobolometry i piro-elektryki, oraz detektory fotonowe ze studniami kwantowymi. Omówiono budową i działanie detektora uśredniającego SPRITE o dużej wartości wykrywalności pasmowej.
EN
This paper presents. In this paper the comparison of uncooled thermal and deeply cooled QWIP (Quantum Well Infrared Photodetector) detectors are briefly presented. Different types of QWIP detectors have been mentioned. The limits of detectivity both for thermal and photon detectors are discussed. Today, the significant progress in infrared technology is observed. It is due to increasing interest of infrared sensitive equipment, especially in the domain of uncooled devices, which are much chipper with satisfactory parameters. Such detectors are widely used for e.g.: thermal inspection, observation, and maintenance. On the other hand very precise quantum detectors are still under development. The most efficient quantum detection based on MCT (HgCdTe) now has a competitor which uses traditional wide band gap semiconductor (AlxGal-xAs/GaAs), where the carrier excitation takes place in quantum well. Both resposivity and detectivity of quantum infrared detectors is a Junction of wavelength, while it does not depend on spectral range for thermal ones.
9
Content available remote Infrared detectors at the beginning of the next millennium
Rogalski A.
Opto-Electronics Review
|
2001
|
Vol. 9, No. 2
173-187
EN
The paper presents progress in infrared (IR) detector technologies during two hundred history of their development. Classification of two types of infrared detectors (photon detectors and thermal detectors) is done on the basis of their principle of operation. The overview of infrared systems and detectors is presented. Recent progress in different IR technologies is described from a historical point of view. Discussion is focused mainly on current and the most rapidly developing detectors: HgCdTe heterostructure photodiodes, quantum well AlGaAs/GaAs photoresistors, and thermal detectors. The outlook for near-future trends in IR technologies is also presented.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.