PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 6

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  photoemission
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Efekty polowe w warstwach tlenkowych
Olesik J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2013
|
Vol. 54, nr 3
85-89
PL
W pracy badano właściwości emisyjne cienkich i domieszkowanych warstw In₂O₃ i SnO₂ (ITO). Warstwy tlenkowe były nałożone na podłoża szklane i poddane działaniu pola elektrycznego i światła UV. Badano wtórną emisję elektronów sterowaną polem elektrycznym oraz połowo indukowaną emisję elektronową. Natężenie pola elektrycznego wewnątrz emitera było rzędu 1 MV/m. Polowe zjawiska emisyjne bazują na efekcie Maltera. Metoda emisji indukowanej polem polega na analizie widma impulsów napięciowych z powielacza elektronowego. Wyznaczono wydajność emisyjną i rozkłady energetyczne elektronów w zależności od natężenia pola elektrycznego wewnątrz emitera, grubości warstwy ITO oraz oświetlenia. Wyjaśniając mechanizm tych zjawisk podano główne założenia polowego rozdziału warstwy ITO na strefę zubożoną i wzbogaconą w nośniki ładunku. Zaproponowano fenomenologiczny model zjawisk emisyjnych uwzględniający cztery typy mechanizmów emisji elektronowej wywołanej działaniem pola elektrycznego oraz efektami powierzchniowymi i objętościowymi.
EN
In this work, emission properties of thin and doped In₂O₃ and SnO₂ layers (ITO) have been studied. The films were deposited on a glass substrate and exposed to electric field and UV light. The studied emission phenomena were: field induced secondary electron emission and field induced electron emission. Electric field inside the emitter was of the order of 1 MV/m. The field induced electron emission (FIEE) is based on Malter effect. The FIEE measurements relied on determination and analysis of voltage pulse amplitude spectra from a photomultiplier. Emission yield and electron energy distributions as a function of field intensity in the emitter, the ITO thickness and UV illumination have been determined. A phenomenological model of the investigated phenomena has been suggested which includes four types of emission mechanisms: an ordinary one (induced exclusively by electric field) and another caused mainly by surface, volume and tunnel effects.
2
Fotowoltaika - wykorzystanie energii słonecznej
Sosnowski J.
Nowa Elektrotechnika
|
2007
|
nr 9 (37)
28--31
3
Content available remote Photoemission study of Eu 2+/3+ ions in ferromagnetic (Eu,Gd)Te semiconductor layers
Dziawa P., Orłowski B. A., Osinniy V., Pietrzyk M., Taliashvili B., Story T., Johnson R. L.
Materials Science Poland
|
2007
|
Vol. 25, No. 2
377--382
EN
(Eu,Gd)Te ferromagnetic semiconductor layers grown by molecular beam epitaxy technique on BaF2 (111) monocrystalline substrates were investigated by resonant photoemission spectroscopy using synchrotron radiation. In n-(Eu,Gd)Te layers, a ferromagnetic transition induced by electron concentration is observed. Magnetic as well as electrical properties of this material depend strongly on the charge state (2+ vs. 3+) of Eu and Gd ions known to be sensitive to crystal stoichiometry and formation of oxide complexes. The relative concentration of Eu2+ and Eu3+ ions was determined from the analysis of the resonant photoemission energy distribution curves (EDC), measured at photon energies close to 4d-4f resonance. After various in-situ annealing and Ar sputtering procedures, a clear improvement of crystal stoichiometry of (Eu,Gd)Te layers was observed as manifested by the increase of Eu2+ intensity in the spectra. Contribution of Eu 4f shell to the total density of states was also analyzed and found at the valence band edge for Eu2+ ions and about 6 eV lower for Eu3+ ions.
4
Content available remote Electronic band structure and X-ray photoemission studies of ternaries APdGe (A = Th,U) in the paramagnetic state
Samsel-Czekała M., Troć R., Talik E.
Materials Science Poland
|
2007
|
Vol. 25, No. 2
301--304
EN
Among uranium transition metal germanides, UPdGe reveals fascinating magnetic and electrical properties. We have recently performed electronic band-structure calculations of this compound and its non-5f electron counterpart ThPdGe in the paramagnetic state. The obtained theoretical electron densities of states (DOS) were compared with newly measured X-ray photoemission spectra (XPS). For UpdGe some disagreement was observed probably due to the predominant localized character of 5f electron states observed in the XPS spectra.
5
Content available remote Band structure of Au monoatomic chains on Si(335) and Si(557) surfaces
Kisiel M., Skrobas K., Zdyb R., Jałochowski M.
Optica Applicata
|
2005
|
Vol. 35, nr 3
449-455
EN
The electronic band structure of the Si(557) and Si(335) surfaces covered with monoatomic Au chains produced in UHV conditions, is investigated in detail by angle-resolved photoelectron spectroscopy (ARPES), especially for the surface state bands near the Fermi energy. The ARPES spectra in the plane parallel to step edges for Si(557)-Au vicinal surface show strongly dispersive electron energy bands, characteristic of one-dimensional structure. The band dispersion is also calculated within tight-binding model, with two adjustable coupling parameters t{ and t2, for the first and second neighbors along the chains, respectively, and compared with that determined from the photoemission experiment. The scanning tunneling microscopy (STM) imaging and reflection high energy electron diffraction (RHEED) studies enabled us to determine atomic chain separation and its internal structure. The study shows that the structural anisotropy of these surfaces induces highly anisotropic electronic structure.
6
Content available remote Fotoemisja a przejścia optyczne
Wojas J., Wojas W.
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
|
2003
|
Vol. 52, nr 12
49-88
PL
Treścią pracy jest analityczne przedstawienie mechanizmu fotoemisji skorelowanego z przejściami optycznymi. Przedyskutowano klasyczne modele pasmowe fotoemisji zależne od przejść objętościowych. Omówiono wpływ przypowierzchniowego wygięcia pasm energetycznych na parametry fotoemisji. Z danych doświadczalnych: z widm odbicia, z widm wydajności kwantowej i rozkładu fotoelektronów zostały wyciągnięte informacje co do energetycznej struktury warstw przypowierzchniowych półprzewodników, przedstawionych na rysunkach.
EN
The paper is devoted to the analysis of photoemissive mechanism which is corelated with the optical transitions of electrons. The classical models of photoemission based on the volume, optical transitions are discussed. The dependence of the photoemissive parameters of semiconductors on the surface band bending is described. From the experimental data: for example from the reflective spectra the quantum yield functions and the photoelectron distributions, the informations about the energy structure of surface layers of semiconductors are indicated and presented in the graphic form.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.