PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 11

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  photocurrent
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available Hot carrier photocurrent induced by 0.92 eV photon energy radiation in a Si solar cell
Zharchenko Ihor, Gradauskas Jonas, Masalskyi Oleksandr, Rodin Aleksej
Opto-Electronics Review
|
2024
|
Vol. 32, No. 2
art. no. e150181
EN
Absorption of the below-bandgap solar radiation and direct pre-thermalizational impact of a hot carrier (HC) on the operation of a single-junction solar cell are ignored by the Shockley-Queisser theory. The detrimental effect of the HC is generally accepted only via the thermalization-caused heating of the lattice. Here, the authors demonstrate experimental evidence of the HC photocurrent induced by the below-bandgap 0.92 eV photon energy radiation in an industrial silicon solar cell. The carriers are heated both through direct free-carrier absorption and by residual photon energy remaining after the electron-hole pair generation. The polarity of the HC photocurrent opposes that of the conventional generation photocurrent, indicating that the total current across the p-n junction is contingent upon the interplay between these two currents. A model of current-voltage characteristics analysis allowing us to obtain a reasonable value of the HC temperature was also proposed. This work is remarkable in two ways: first, it contributes to an understanding of HC phenomena in photovoltaic devices, and second, it prompts discussion of the HC photocurrent as a new intrinsic loss mechanism in solar cells.
2
Content available Charge carrier mobility in non-equilibrated transport in molecular materials
Kania Sylwester, Kościelniak-Mucha Barbara, Kuliński Janusz, Słoma Piotr, Wojciechowski Krzysztof
Scientific Bulletin. Physics / Lodz University of Technology
|
2019
|
Vol. 40
37--46
EN
Non-equilibrated transport of charge carriers in the molecular material depends on the structure and packing of the molecules. Explanation of the measurements of the photocurrent generated with use of UV flash light in organic layer needs to define the quantity of charge carriers mobility. Definition of this quantity in the scope of some defined transport model requires the detailed analysis of generation, recombination and charge transfer between neighbouring molecules. The problem is discuss on the basis of transport properties of two anthracene derivatives.
PL
Opis nierównowagowego transportu nośników ładunku w warunkach fotoprądu wzbudzanego impulsem światła wymaga zdefiniowania ruchliwości nośników ładunku. Definicja tej wielkości w odniesieniu do określonego modelu transportu wymaga wnikliwej analizy procesów generacji, rekombinacji i transferu ładunku pomiędzy sąsiadującymi cząsteczkami. W tej pracy do opisu transportu nośników ładunku w antronie i antrachinonie wykorzystano teorię Marcusa–Husha, która dotyczy transportu hoppingowego. Uzyskano prawie identyczne wartości ruchliwości dziur w obu materiałach, tj. 1,7·10-2 cm2/Vs oraz identyczne wartości ruchliwości elektronów 4,7·10-2 cm2/Vs. Pomimo prostoty rozważań teoretycznych uzyskane wyniki obliczeń dają jakościowo poprawny obraz transportu, zgodny z wynikami doświadczalnymi. Dla obu związków wartości ruchliwości obliczone za pomocą teorii Marcusa-Husha zarówno dla transportu dziur jak i dla transportu elektronów są w zakresie transportu hoppingowego.
3
Optical spectroscopy of polyazomethine-PCBM nanostructures
Korona K. P., Grankowska S., Iwan A., Korona T., Rutkowska-Zbik D., Kamińska M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2014
|
Vol. 55, nr 9
92-94
EN
We report optical properties of a recently synthesized 25Th-cardo polyazomethine (PAZ) and of its mixture with [6,6]-phenyl-C61-butyric acid methyl ester (PCBM). The polymer film had significant absorption for wavelengths shorter than 480 nm (2.6 eV). The external quantum efficiency of 25Thcardo: PCBM solar cell was the highest (about 0.3%) in the near UV range. Theoretical calculations show that HOMO energy levels are equal to –5.99 eV and –5.95 eV for PAZ and PCBM, respectively. Such a small energy difference enables hole leaking from PAZ to PCBM, what can explain low photo-current yield and presence of PCBM absorption bands in the photocurrent spectrum. Time-resolved photoluminescence revealed the emission band at 2.10 eV with a fast decay time of 7 ps, and the more stable band at 1.88 eV. It was observed that PCBM caused quenching of the PAZ emission, what indicates the energy transfer from PAZ to PCBM.
PL
W niniejszej pracy przedstawiamy właściwości optyczne otrzymanej poliazometiny 25Th-cardo i jej mieszaniny z estrem [6,6]-fenylo-metylowym-C61 kwasu masłowego (PCBM). Dla polimeru obserwujemy znaczącą absorpcję dla długości fal krótszych niż 480 nm (2,6 eV). Zewnętrzna wydajność kwantowa ogniw słonecznych na bazie 25Th-cardo:PCBM była najwyższa (około 0,3%) w zakresie bliskiego UV. Obliczenia teoretyczne pokazują, że energie poziomów HOMO są równe -6,0 eV i -5,99 eV, odpowiednio dla 25Th-cardo i PCBM. Tak mała różnica energii umożliwia wyciekanie dziur z 25Th-cardo do PCBM, co może tłumaczyć niską wydajność ogniw oraz obecność pasm absorpcyjnych PCBM w widmie fotoprądu. Fotoluminescencja czasowo-rozdzielcza daje pasmo emisji dla energii 2,10 Ev o szybkim czasie zaniku (7 ps) oraz bardziej stabilne pasmo przy 1,88 eV. Stwierdzono, że dodatek PCBM powoduje stłumienie emisji 25Th-cardo, co wskazuje na przenoszenie energii z 25Th-cardo do PCBM.
4
Content available remote Modelowanie kinetyki fotoprzewodnictwa półizolującego GaAs
Suproniuk M., Pawłowski M., Kamiński P., Kozłowski R.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2013
|
R. 89, nr 9
165-168
PL
Rozwój energetyki w dużej mierze zależy od właściwości materiałów półprzewodnikowych, z których wytwarzane są elementy układów przekształtników energoelektronicznych. Stosowane dotychczas elementy na bazie krzemu są obecnie wypierane przez elementy produkowane na bazie arsenku galu. Parametry nowego typu przyrządów silnie zależne są jednak od właściwości i koncentracji defektów punktowych sieci krystalicznej w tym materiale, które badane są metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej. W artykule zaproponowano model i przeprowadzono analizę wpływu szybkości generacji par elektron-dziura na szybkość narastania koncentracji nadmiarowych nośników ładunku dla założonych właściwości i wartości koncentracji centrów defektowych w półizolującym GaAs.
EN
Energy development largely depends on the properties of semiconductor materials, which are used for fabrication of power converters system components. Used so far silicon-based components are now being replaced by elements of made of gallium arsenide. The parameters of the new type of devices, however, are strongly dependent on the properties and concentrations of lattice point defects in this material. The photoinduced transient spectroscopy is a powerful method for studying defect centers in semi-insulating (SI) GaAs. A model is proposed and the analysis of the effect of the electron-hole pairs generation rate on the rise of the excess charge carriers concentrations in semi-insulating GaAs for the assumed properties and concentrations of defect centers has been performed.
5
Content available remote Fotowoltaiczne właściwości cienkich warstw Zn-In-O
Kisiel A., Ziaja J., Chowaniec R.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2013
|
R. 89, nr 7
271--273
PL
Celem pracy było wytworzenie i zbadanie fotowoltaicznych właściwości cienkich warstw tlenku cynku z indem. Do otrzymania warstw Zn-In-O zastosowano technikę rozpylania magnetronowego. Właściwości fotowoltaiczne uzyskanych warstw określano przez pomiar wartości natężenia prądu w zależności od długości fali i wyznaczenie charakterystyk prądowo-napięciowych. Wartość fotoprądu ulegała zmianie w zależności od długości fali świetlnej. Wielkość tych zmian zależała od wartości częstotliwości zastosowanej podczas nanoszenia warstw ZnInO.
EN
The aim of the study was to manufacture and investigation of photovoltaic properties of Zn-In-O thin films obtained by magnetron sputtering method. Photovoltaic properties were tested by measurement of photocurrent intensity as a function of wavelength and determination of current-voltage characteristics. The results obtained indicate that photocurrent value varied with wavelength change. These changes depended on the impulse group frequency value applied during formation of layers.
6
Content available Struktura i fotowoltaiczne właściwości warstw Zn-In-O
Kisiel A., Ziaja J., Chowaniec R.
Prace Instytutu Elektrotechniki
|
2012
|
Z. 259
69--70
PL
Celem pracy było wytworzenie i zbadanie fotowoltaicznych właściwości cienkich warstw tlenku cynku z indem. Do otrzymania warstw Zn-In-O zastosowano technikę rozpylania magnetronowego w atmosferze gazu reaktywnego, którym był tlen. Spośród wielu parametrów tego procesu, które mogą wpływać na właściwości warstw, zmieniana była tylko częstotliwość grupowa danej serii próbek (od 0,52 do 4,03 kHz). Pozostałe parametry były stałe (p = 1.0·10-2 Tr, P = 200 W, t = 25 min). Właściwości fotowoltaiczne uzyskanych warstw określano przez pomiary wartości natężenia prądu w zależności od długości fali i wyznaczenie charakterystyk prądowo-napięciowych bez oświetlenia oraz przy naświetleniu światłem o wybranych długościach fal. Otrzymane wyniki wskazują, że wartość fotoprądu ulegała zmianie w zależności od długości fali świetlnej. Wielkość tych zmian zależała od wartości częstotliwości zastosowanej podczas nanoszenia warstw ZnInO. Największe wartości fotoprądu (do kilkuset mikroamperów) uzyskano w przypadku próbek otrzymanych przy najwyższej z zastosowanych częstotliwości – około 4 kHz. Przeprowadzone badania pokazują, że uzyskane warstwy ZnInO wykazują właściwości fotowoltaiczne. Zmiana jednego z parametrów formowania – częstotliwości grupowej impulsów, wpływa na wartość zmierzonych fotoprądów. W przyszłości istotne byłoby również zbadanie wpływu innych czynników na właściwości fotowoltaiczne warstw ZnInO.
EN
The aim of the study was to manufacture and investigation of photovoltaic properties of Zn-In-O thin films. The samples were obtained by magnetron sputtering method at the atmosphere of reactive gas (oxygen). There are many parameters, which can influence properties of manufactured films. During experiment only group frequency of the impulses was changed, in the range from 0.52 to 4.03 kHz. Other factors of magnetron sputtering process, such as power, time of deposition, temperature and vacuum level were constant (p = 1.0·10-2 Tr, P = 200 W, t = 25 min). Photovoltaic properties of formed ZnInO films were tested by measurement of photocurrent intensity as a function of wavelength and determination of current-voltage characteristics without illumination and for selected wavelength. The results obtained indicate that photocurrent value varied with wavelength change. These changes depended on the impulses group frequency value applied during formation of layers. The thin ZnInO films manufactured at the frequency 4 kHz showed the highest photocurrent values (about hundreds of miliampers) in the whole measured spectral range. The carried out experiments demonstrate that oxide zinc with indium thin films obtained during sputtering process show photovoltaic properties. Impulses frequency group significantly affected the photovoltaic activity of the samples. In the future work influence of other technological parameters of magnetron sputtering process on the ZnInO films photocurrent value will be investigate.
7
Układ pomiarowy dla monitoringu pracy modułu fotowoltaicznego oraz dane monitoringu w warunkach południowo-wschodniej Polski
Cypryś P., Płoch D., Woźny M., Sheregii E.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2010
|
Vol. 51, nr 4
51-55
PL
W artykule zaprezentowano dane monitoringu pracy modułu fotowoltaicznego w warunkach klimatycznych południowo-wschodniej Polski. Została opisana metodyka pomiarów i przedstawiono krzywe czasowe fotoprądu, uzyskanych mocy odebrane przez moduł porównując je jednocześnie z natężeniem promieniowania słonecznego jakie pada na badany moduł. Obliczono zysk energetyczny odpowiadający miesiącom letnim dla tygodnia z niskim zachmurzeniem i zachmurzeniem zmiennym oraz maksymalną sprawność jaką można było osiągnąć w warunkach prowadzonych badań. Omówiono problematykę uzyskiwania energii elektrycznej z ogniw słonecznych i ich przyszłość we współczesnej gospodarce południowo-wschodniego regionu Polski.
EN
The article presents the monitoring data of the photovoltaic module in the climate conditions of south-eastern Poland. The corresponding set-up for measurements is described and the curves of the photocurrent and received power from the module are shown in the time function which are compared with the solar radiation intensity falling on the module. The received energetic profit is counted for two weeks in summer: one without cloudiness and one with changing cloudiness. The maximal efficiency reached in these conditions is calculated too. The problems to getting electric energy from solar cells and its forecasting future in the present economy of south-eastern Poland are discussed also.
8
Content available remote Novel gas sensor based on porous silicon measured by photovoltage, photoluminescence, and admittance spectroscopy
Bratkowski A., Korcala A., Łukasiak Z., Borowski P., Bała W.
Opto-Electronics Review
|
2005
|
Vol. 13, No. 1
35--38
EN
Porous silicon (PSi) layer as gas sensor, based on the change in photoconductivity, photoluminescence and admittance has been presented. PSi layer was prepared by electrochemical dissolution of p-type silicon wafer in HF. Photovoltage curves, photoluminescence spectra (PL) and admittance spectra have been measured in different gas concentrations. Photoconductivity (PC) spectra in vacuum and different gas atmosphere have been compared. Changes of photovoltage intensity curves and change of PC spectra versus concentration of vapour have been observed.
9
Content available remote The kinetics of photoelectric processes near interfaces of C60/liquid crystals
Boiko O. P., Vertsimakha Y. I.
Materials Science Poland
|
2004
|
Vol. 22, No. 1
47--56
EN
The interface between vacuum deposited C60 fullerene films and layers of mimetic liquid crystals (LC), such as pentylcyanobiphenyl (5??) or the BL055 mixture has been studied. In order to understand the processes of barrier formation at the C60 /LC interface, the kinetics of the dark current, short-circuit photocurrent and photo voltage caused by short pulses of light (~60 sec, hv = 1.88 eV) were investigated. Initial barrier height at the ?60 /LC interface and its increase caused by ion diffusion to electrodes under the action of an internal electric field or light are determined. A fast component of the short-circuit photocurrent and photo voltage was observed. This component was probably due to the presence of a partly filled acceptor-like deep electron level associated with an interaction between C60 molecules and oxygen. The occupancy of the local states depends on molecular interactions at the interface. Their effect on the processes of ionic polarization and depolarization is discussed.
10
Influence of sample thickness non-uniformities on the modulated photocurrents in amorphous solids
Grygiel P., Tomaszewicz W.
Prace Naukowe. Chemia / Wyższa Szkoła Pedagogiczna w Częstochowie
|
2003
|
Vol. 8
29--35
11
Influence of sample thickness, temperature and electric field strength on modulated photocurrents in poly(n-vinylcarbazole)
Grygiel P., Tomaszewicz W., Wiśniewski G.
Prace Naukowe. Chemia / Wyższa Szkoła Pedagogiczna w Częstochowie
|
2001
|
Vol. 5
131--141
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.