PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Powiadomienia systemowe
  • Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 4

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  photoconductive semiconductor switches
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Możliwości zastąpienia wybranych łączników przez półprzewodnikowe łączniki fotokonduktancyjne
Piwowarski Karol, Perka Bogdan
Przegląd Elektrotechniczny
|
2021
|
R. 97, nr 4
88--91
PL
Artykuł ten przedstawia analizę możliwości zastąpienia wybranych, obecnie stosowanych w systemach zasilania i dystrybucji energii, łączników mechanicznych i elektrycznych półprzewodnikowym łącznikiem fotokonduktancyjnym (PCSS). W tym celu dokonano przeglądu literatury obecnie osiąganych parametrów przez łączniki PCSS, a także zaprezentowano otrzymane wyniki badań prototypu łącznika PCSS zbudowanego na podstawie półizolującego (IS) fosforku galu (GaP). Przedstawiono parametry, zastosowanie i zasadę działania iskiernika i wysokonapięciowego łącznika elektrycznego. Dokonano analizy możliwości zastąpienia tych łączników przez łącznik PCSS, a także możliwość zastąpienia ich przez przedstawiony łącznik PCSS wykonany z fosforku galu.
EN
This article presents an analysis of the possibility of replacing selected, currently used in power systems, mechanical and electrical switches with a photoconductive semiconductor switch (PCSS). For this purpose, the literature review of the parameters currently achieved by PCSS switches was carried out, and the obtained results of research on the PCSS switch prototype built on the basis of semi-insulating (SI) gallium phosphide (GaP) were presented. The parameters, application and principle of operation of the spark gap and power switch are presented. The possibility of replacing these switches by a PCSS switch was analyzed, as well as the possibility of replacing them with the presented PCSS switch made of gallium phosphide.
2
Content available Comparison of photoconductive semiconductor switch parameters with selected switch devices in power systems
Piwowarski Karol
Opto-Electronics Review
|
2020
|
Vol. 28, No. 2
74--81
EN
Currently, work is underway to manufacture and find potential applications for a photoconductive semiconductor switch made of a semi-insulating material. The article analyzes the literature in terms of parameters and possibilities of using PCSS switches, as well as currently used switches in power and pulse power electronic system. The results of laboratory tests for the prototype model of the GaP-based switch were presented and compared with the PCSS switch parameters from the literature. The operating principle, parameters and application of IGBT transistor, thyristor, opto-thyristor, spark gap and power switch were presented and discussed. An analysis of the possibilities of replacing selected elements by the PCSS switch was carried out, taking into account the pros and cons of the compared devices. The possibility of using the currently made PCSS switch from gallium phosphide was also discussed.
3
Content available remote Concept of a measuring system for diagnostics of photoconductive semiconductor switches parameters
Piwowarski Karol, Suproniuk Marek, Kamiński Paweł, Perka Bogdan
Przegląd Elektrotechniczny
|
2019
|
R. 95, nr 11
117--119
EN
The article presents the concept of a measurement system for testing the characteristics of photoconductive semiconductor switches in the blocking state and conduction state for the system voltage up to 90 kV. The results of the research obtained so far for the gallium phosphide switch (GaP), carried out for the supply voltage up to 1 kV, and for the voltage range increased to 10 kV thanks to the system created in accordance with the concept presented in the article, are also presented.
PL
W artykule przedstawiona została koncepcja układu pomiarowego do badania charakterystyk półprzewodnikowych łączników fotokonduktancyjnych w stanie blokującym i stanie przewodzenia dla napięcia układu do 90 kV. Zaprezentowane zostały także, dotychczas otrzymane wyniki badań łącznika wykonanego z fosforku galu (GaP), przeprowadzone dla napięcia zasilania do 1 kV oraz dla zakresu napięć zwiększonego do 10 kV dzięki zastosowaniu układu stworzonego według przedstawionej w artykule koncepcji.
4
Content available remote Current state of photoconductive semiconductor switch engineering
Majda-Zdancewicz E., Suproniuk M., Pawłowski M., Wierzbowski M.
Opto-Electronics Review
|
2018
|
Vol. 26, No. 2
92--102
EN
This paper presents the current state of a photoconductive semiconductor switch engineering. A photoconductive semiconductor switch is an electric switch with its principle of operation based on the phenomenon of photoconductivity. The wide application range, in both low and high-power devices or instruments, makes it necessary to take design requirements into account. This paper presents selected problems in the scope of designing photoconductive switches, taking into account, i.e. issues associated with the element trigger speed, uniform distribution of current density, thermal resistance, operational lifespan, and a high, local electric field generated at the location of electrodes. A review of semiconductor materials used to construct devices of this type was also presented.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.