Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: photocapacitance

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Modelowanie zjawisk fotoelektrycznych w zakresie ultrafioletu w strukturach metal/izolator/GaN

Adamowicz B., Bidziński P., Miczek M., Matys M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2011

Vol. 52, nr 9

43-45

W pracy przedstawiono teoretyczną analizę wpływu stanów elektronowych na granicy izolator/GaN oraz jakości objętości GaN (czasu życia nośników nadmiarowych) na fotopojemność i fotonapięcie powierzchniowe w spolaryzowanej elektrycznie strukturze metal/izolator/GaN oświetlonej promieniowaniem ultrafioletowym. Obliczenia wykonano korzystając z równań modelu dryftowo-dyfuzyjnego rozwiązywanych metodą elementów skończonych w pakiecie COMSOL Multiphysics. Analizę przeprowadzono pod kątem zastosowania struktury w detekcji ultrafioletu.

The paper contains the theoretical analysis of the influence of electron states at an insulator/GaN mterface and of GaN bulk quality (in terms of carrier lifetime) on photocapacitance and surface photovoltage in the metal/insulator/n-GaN structure under ultraviolet light illumination and under the metal gate bias. The calculations have been done using the equations of the drift-diffusion model solved utilizing finite element method in COMSOL Multiphysics package The results have been analyzed from the viewpoint of the application of the structure for ultraviolet detection.

Defect states in the GIGS solar cells by photocapacitance and deep level optical spectroscopy

Igalson M., Urbaniak A.

Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences

2005

Vol. 53, nr 2

157-161

Thin film solar cells based on multinary compound Cu(In,Ga)Se2 show record photovoltaic conversion efficiency approaching 20%. Investigation on defect physics in this compound is crucial for making further progress in the technology. In this work we present the results on photo capacitance (PC) and deep level optical spectroscopy (DLOS) for two types of cells high efficiency Cu(In,Ga)Se2 cell with about 20% of gallium and pure gallium CuGaSe2 device. We show that PC and DLOS, employed as the techniques complimentary to deep level transient spectroscopy DLTS and admittance spectroscopy, are useful methods in providing information on defect levels in solar cells. In particular they are helpful in differentiating between levels belonging to the bulk of absorber and to the interface states. We tentatively assign some of the observed deep levels to Incu or Gacu antisites and Cu interstitials.