Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 2016

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: phosphorus diffusion

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

The liquid phosphorus source for Si solar cells fabrication

Panek P., Socha R. P., Juel M., Zięba P.

Inżynieria Materiałowa

2016

Vol. 37, nr 4

172--177

A new liquid source of phosphorus atoms (SPA), dedicated to emitter formation in Si solar cells, was elaborated on the basis of H3PO4. The important properties of this solution, that can be deposited by the spray method, make possible the formation of easily removable phosphosilicate glass (PSG) when the diffusion process is performed. The PSG formed from SPA and from conventional POCl3 source were investigated by X-ray photoelectron spectroscopy. The diffusion depth profiles were determined by a secondary ion mass spectrometry. The presented solution and technology of the n-type diffused layer formation allowed for precise shaping of the phosphorus doping profile. Relatively short diffusion process, which lasted only for 3 minutes, resulted in the sheet resistance between 30÷120 Ω/□, that is appropriate for the solar cells applications. The solar cells with the use of new donor source were produced and characterized by the current-voltage and spectral response techniques. The simple technology of the emitter fabrication from the liquid solution deposited by a spray method is expected to become more cost-competitive in major PV companies than the traditional POCl3 based technique.

Celem pracy było opracowanie i zbadanie właściwości użytkowych roztworu chemicznego będącego źródłem domieszki atomów fosforu (SPA) w procesie wytwarzania emitera ogniwa słonecznego na bazie krzemu krystalicznego typu p. Jako kryterium aplikacyjne przyjęto następujące warunki: niskie koszty roztworu, możliwości jego nanoszenia metodą natrysku, realizacji procesu dyfuzji w piecu taśmowym oraz jednorodności domieszki emitera w zakresie rezystancji warstwowej od 30 do 120 Ω/□.