The field modelling becomes simpler if strong field nonuniformities are solved theoretically. The early-obtained formulas for 2-D "corner" permeances, (capacitances or resistances) pertain to right angle configurations. In this paper, using a conformal mapping and analytical approximations, the field in the vicinity of arbitrary angle corner is studied and the corner resistance determined. Obtained results can be applied to a large range of electromagnetic and microelectronic devices. They agree with early-obtained values for right angle corner and with the FEM simulation.
PL
Modelowanie w przypadku silnie nierównomiernych pól jest prostsze przy zastosowaniu rozwiązań teoretycznych. Otrzymane wcześniej analityczne rozwiązanie dla naroża 2D (pojemność lub rezystancja) pozwala na konfiguracje naroża. Użyto mapowania i aproksymacji analitycznej. Obliczono pole, a następnie rezystancję naroża. Wyniki można zastosować do szeregu urządzeń elektromagnetycznych i mikroelektronicznych. Otrzymano zgodność z wynikami symulacji metodą elementów skończonych.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.