Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: pentacene

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Technology development of organic photosensitive structures and study of their electrophysical properties

Hotra Z., Stakhira P., Cherpak V., Volynyuka D., Skoczylas M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2010

Vol. 51, nr 8

133-136

The technology of thin-film photosensitive organic cells based on molecular semiconductors (pentacene, nickel phthalocyanine and derivatives of perylene) has been developed using thermal vacuum deposition methods. The complex analysis of thin films of oxygen doped organic molecular semiconductor nickel phthalocyanine (NiPc) and barrier structure on its base, formed on a flexible conductive substrate ITO/NiPc/AI has been carried out. The main processes of current flow in barrier structure, spectral photosensitivity and photovoltaic parameters such structure were defined. The different methods of improving.

W pracy omówiono technologię wytwarzania swiatłoczułych organicznych struktur na bazie molekularnych półprzewodników (pentacen, NiPc i różne odmiany perylenu) z wykorzystaniem metody termicznego osadzania w próżni. Zamieszczono również analizę teoretyczną zjawisk zachodzących w domieszkowanym tlenem półprzewodnikowym związku NiPc umieszczonym na giętkim podłożu przewodzącym ITO/NiPc/AI (struktura bariery, przepływ prądu oraz parametry optyczne). Zaproponowano rożne metody zwiększenia wydajności organicznych komórek solarnych.

PTFE encapsulation for pentacene based organic thin film transistors

Pannemann C., Diekmann T., Hilleringmann U., Schurmann U., Scharnberg M., Zaporojtchenko V., Adelung R, Faupel F.

Materials Science Poland

2007

Vol. 25, No. 1

95--101

Unprotected organic devices suffer from degradation due to water and oxygen incorporation. To validate the function of organic thin film transistor capsulation, interdigital transistor structures (WIL = 16 830 and WIL = 23 400) were prepared on p-type silicon wafers, and a high current was driven (initially up to -15 mA and -6.8 mA, respectively, at -40VDS, -40V GS) in order to detect their explicit reactions to degradation. Subsequently, the OTFT active layer was encapsulated with 1.5 urn of sputtered polytetrafluoroethylene (PTFE). The degradation experiment for 4 months in dark laboratory conditions revealed reduced degradation compared to earlier experiments using thinner protection films. During the experiment, the threshold voltage shifted in the positive direction, suggesting degradation only due to oxygen. Obviously, degradation due to humidity was blocked, as it would have caused a negative threshold voltage shift.