Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2016

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: passive electronics elements

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Memrystor : brakujący element elektroniczny

Domaradzki J., Kaczmarek D., Wojcieszak D., Mazur M., Poniedziałek A., Kotwica T.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2016

Vol. 57, nr 7

9--11

Określenie memrystor odnosi się do klasy dwukońcówkowych, pasywnych elementów elektronicznych, charakteryzujących się nieliniową zależnością prądowo-napięciową z pętlą histerezy oraz zdolnością do zapamiętywania swojego stanu (oporu elektrycznego) [1]. Właściwości memrystorów opisane zaostały w pracy Leona Chua w 1971 roku [2]. Jednakże prawdziwy rozgłos memrystor zyskał w 2008 roku za sprawą publikacji naukowców z laboratoriów firmy Hewlett Packard [3]. Odkrycie memrystora zweryfikowane zostało następnie krytycznie w 2015 roku. Niniejsza praca zawiera przegląd dotyczący podstawowych właściwości i potencjalnego zastosowania memrystorów. W artykule zamieszczono również przykłady właściwości cienkowarstwowych struktur na bazie tlenków metali przejściowych, dla których obserwowany jest efekt histerezy na charakterystykach prądowo-napięciowych.

Memristor describes a class of two terminal, passive electronics elements with non-linear current to voltage characteristics in the form of pinched hysteresis loop and ability to remember its state (resistance) [1]. The properties of memristors were described in the work by Leon Chua in 1971 [2]. But, a real fame it gained in 2008 after publication of scientists from Hewlett Packard [3]. The discovery of memristor was then critically verified in 2015. Present work contains a short review of basic properties and possible applications of memristors. In the paper some exemplary results of electrical properties of thin film structures based on transition metal oxides for which a hysteresis loop has been observed in I-V dependence were also presented.