Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2003

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: passivating layers

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Diody Schottky'ego na podłożach z węgliku krzemu

Sochacki M., Szmidt J., Zdunek K., Dusiński E.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2003

Vol. 44, nr 7

3-9

W pracy przedstawiono możliwości jakie daje zastosowanie węglika krzemu do wytwarzania dobrze znanych z technologii krzemowej diod Schottky'ego. Materiał ten pozwala na podniesienie temperatury i częstotliwości pracy oraz miniaturyzację przyrządów mocy. Zaprezentowane zostały sposoby podwyższenia napięcia przebicia diody oraz wyniki badań nad metodami zmniejszenia prądów zaporowych i warstwami pasywującymi, jakie mogą być stosowane w technologii węglika krzemu.

The possibilities of application a silicon carbide for production of Schottky diodes are outlined. Silicon carbide allows to elevate the working temperaturę and frequency of devices which are well known in the silicon technology. The miniaturization of power devices is permitted owing to the excellent thermal conduction of this materiał. The techniques of diodę breakdown voltage increasing are presented. In this paper we consider also the methods of leakage decreasing and dielectric layers which may have been useful for passivation of silicon carbide devices.