Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Właściwości optyczne cienkich warstw na bazie mieszanin tlenków tytanu i wolframu (TiO₂-WO₃)

Obara K., Kaczmarek D., Rogala J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2018

|

Vol. 59, nr 7

2--6

PL

Cienkie warstwy dwutlenku tytanu (TiO₂) oraz trzy mieszaniny tlenków tytanu i wolframu (TiO₂-WO₃) o małej zawartości trójtlenku wolframu (WO₃) osadzono na podłożach z krzemionki amorficznej (SiO₂) metodą parowania wiązką elektronową. Na podstawie analizy wyników badania właściwości optycznych metodą transmisji i odbicia światła stwierdzono występowanie zjawiska blueshiftu krawędzi absorpcji światła, polegającego na zmniejszeniu wartości długości fali odcięcia λcut-off oraz zwiększeniu szerokości optycznej przerwy energetycznej dla przejść skośnych dozwolonych Egi opt, a także odnotowano wzrost wartości średniej transmisji światła w zakresie promieniowania widzialnego Tλ(VIS), wraz ze zwiększeniem zawartości atomowej wolframu do tytanu w cienkich warstwach TiO₂-WO₃. Stwierdzono także występowanie jednej wartości optycznej przerwy energetycznej dla przejść skośnych dozwolonych w wypadku powłok TiO₂ i Ti0‚91W0,09Ox oraz dwóch wartości tego parametru dla cienkich warstw Ti0,84W0,16Ox i Ti0,77W0,23Ox. Ponadto, dla wszystkich mieszanin tlenków TiO₂-WO₃ otrzymano mniejsze wartości współczynnika załamania światła n₅₅₀ oraz współczynnika ekstynkcji κ₅₅₀ o długości fali 550 nm, w porównaniu z cienką warstwą TiO₂.

EN

Titanium dioxide (TiO₂) and three titanium-tungsten mixed oxides (TiO₂-WO₃) with small amount of tungsten trioxide (WO₃) were deposited onto silica (SiO₂) substrates using electron beam evaporation method. Analysis of optical properties on the basis of transmittance and reflectance spectra revealed blueshift of absorption edge. With increasing content of tungsten in TiO₂-WO₃ mixed oxides, reduction of cut-off wavelength λcut-off, widening of the optical band gap for indirect allowed transitions Egi opt, as well as increase in the mean value of transmittance over visible light range Tλ(VIS) were observed. One value of optical band gap for indirect allowed transitions was determined for TiO₂ and Ti0‚91W0,09Ox thin films, while for Ti0,84W0,16Ox and Ti0,77W0,23Ox coatings two values were found. Moreover, values of n₅₅₀ and κ₅₅₀ parameters for all TiO₂-WO₃ mixed oxides were lower compared with TiO₂ thin film.

2

Wpływ wygrzewania na właściwości powierzchni cienkich warstw na bazie wybranych tlenków metali

Obara K., Kaczmarek D., Pierściński R., Poniedziałek A., Domanowski P.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2017

|

Vol. 58, nr 7

8--13

PL

W pracy zbadano wpływ wygrzewania w wysokiej temperaturze na właściwości powierzchni cienkich warstw na bazie tlenków tytanu i wolframu. Cienkie warstwy dwutlenku tytanu (TiO2) i trójtlenku wolframu (WO3) naniesiono na podłoża z krzemionki amorficznej (SiO2) metodą parowania wiązką elektronową. Następnie próbki poddano wygrzewaniu w powietrzu atmosferycznym, do temperatury 800°C. Właściwości strukturalne powłok cienkowarstwowych TiO2 i WO3 określono przy użyciu metody dyfrakcji rentgenowskiej. Natomiast właściwości powierzchni cienkich warstw TiO2 i WO3 po naniesieniu oraz po wygrzewaniu, zbadano z wykorzystaniem mikroskopu optycznego, profilometru optycznego oraz stanowiska do pomiaru zwilżalności powierzchni. Pod wpływem wygrzewania poprocesowego nastąpiło przejście TiO2 i WO3 z fazy amorficznej w strukturę polikrystaliczną. W wypadku TiO2 otrzymano fazę anatazu, natomiast w wypadku WO3 strukturę jednoskośną. Cienkie warstwy TiO2 były jednorodne i ciągłe zarówno po naniesieniu, jak i po wygrzewaniu. Z kolei cienkie warstwy WO3 były jednorodne i ciągłe wyłącznie po naniesieniu, ponieważ po wygrzewaniu wystąpiła rekrystalizacja struktury powłoki. Zaobserwowano także znaczne zmiany topografii powierzchni oraz profili wysokości i chropowatości wygrzewanych powłok TiO2 i WO3. Zarówno po naniesieniu, jak i po wygrzewaniu, powierzchnie cienkich warstw TiO2 i WO3 były hydrofilowe.

EN

The annealing influence on surface properties of titanium dioxide (TiO2) and tungsten trioxide (WO3) thin films obtained by electron beam evaporation method on fused silica substrates (SiO2) has been studied. TiO2 and WO3 thin films were annealed in atmospheric pressure at a temperature of 800°C. Structural properties of as-deposited and annealed samples were studied with the use of an X-ray diffractometer. Additionally, surface properties of as-deposited and annealed samples were examined by optical microscope, optical profilometer and tensiometer. TiO2 thin films were uniform and homogenous after deposition and annealing, contrary to WO3 thin films, which were uniform and homogenous only after deposition, annealing caused recrystallization of the thin film structure. Furthermore, significant changes to surface topography, altitude and roughness profiles of both annealed TiO2 and WO3 thin films have been observed. Either as-deposited and annealed TiO2 and WO3 thin films surfaces were hydrophilic.

3

Analiza właściwości optycznych oraz projektowanie półprzezroczystych cienkich warstw Ag w zakresie VIS-NIR

Domaradzki J., Kaczmarek D., Mazur M., Wojcieszak D., Jędrzejak T.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2014

|

Vol. 55, nr 8

70-72

PL

Cienkie warstwy srebra o grubości od kilku do kilkunastu nanometrów znajdują szerokie zastosowanie w konstrukcji różnych powłok optycznych. Warstwy takie, dzięki niewielkiej grubości charakteryzują się częściową przepuszczalnością dla światła w widzialnym zakresie widma promieniowania optycznego oraz zwiększonym odbiciem światła w zakresie bliskiej podczerwieni. Projektowanie powłok optycznych wymaga znajomości przebiegu charakterystyk dyspersji współczynników załamania i ekstynkcji światła, które w wypadku bardzo cienkich warstw mają inny przebieg niż obserwowany dla materiałów litych. W niniejszej pracy przedstawiono wyniki badania oraz analizy właściwości optycznych powłok Ag o grubości 5, 10 i 15 nm wytworzonych metodą parowania wiązką elektronową.

EN

Thin films of silver with the thickness about several nanometers find a broad application in the construction of different optical coatings. Such layers, thanks to the small thickness are characterized themselves by semi-transparency for light from the visible part of optical radiation and enhanced reflectivity in the near infrared range. For designing of optical thin films it is required to know the run of the dispersion of refractive and extinction coefficients characteristics which are different than for solid materials. In this work, the results of investigations and analysis of optical properties of Ag films with the thickness of 5, 10, 15 nm, prepared by electron beam evaporation have been presented.

4

Formowanie transparentnych warstw przewodzących na bazie ITO

Domaradzki J., Kaczmarek D., Mazur M., Wojcieszak D.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2013

|

Vol. 54, nr 7

20-23

PL

Tlenek indowo-cynowy, powszechnie znany jako ITO, stosowany jest od wielu lat, przede wszystkim do wytwarzania przezroczystych elektrod w różnego rodzaju urządzeniach elektronicznych. W ostatnich latach największe zastosowanie materiał ten znajduje w ekranach wyświetlaczy LCD. Potencjalnie ogromne możliwości wykorzystania ITO związane są z jego unikatowymi właściwościami, które sprawiają, że tlenek ten jest przezroczysty dla światła z zakresu widzialnego promieniowania optycznego, a jednocześnie wykazuje stosunkowo małą wartość rezystywności, zazwyczaj poniżej 10-3 Ωcm. W niniejszej pracy przedyskutowano aspekty technologiczne związane z wytwarzaniem cienkich warstw ITO metodą parowania wiązką elektronową.

EN

Indium-tin oxide, commonly known as ITO, is well known for years and applied usually as transparent electrodes for different electronics devices. In the last few years ITO was the most utilized in such applications as LCD displays. Ability of wide application of ITO results from its unique properties, that is its excellent transparency in the visible part of light irradiation and relatively low electrical resistivity, usually below 10-3 Ωcm. In the present paper some technological aspect connected with preparation of ITO thin films by electron beam evaporation method have been discussed.