Warstwy wielokrotne Co?Zr otrzymano na podłożach Si02 (101)/ Si (111) i szklanych metodą rozpylania magnetronowego UHV (5 x 10 - 10 mbar) DC/RF. Typowe parametry rozpylania przedstawiono w tabeli 1. Skład chemiczny i czystość wszystkich warstw badano in situ, niezwłocznie po naniesieniu, transferując próbki do komory analitycznej UHV ( 4 x 10 - 11 mbar) wyposażonej w XPS i AES. Stwierdzono, że subwarstwy Co rosną w miękkiej magnetycznie fazie nanokrystalicznej poniżej grubosci krytycznej ( d crit) subwarstwy Co wynoszącej ok 2,8 - 3,0 nm. W tym przypadku, średni rozmiar ziarna subwarstw Co jest znacznie mniejszy od magnetycznej długości wymiany (L ex). Dla grubości większych od d crit, subwarstwy Co rosną w fazie polikrystalicznej o średnim rozmiarze ziarna D > L ex.
EN
Co/Zr multilayers were prepared onto SiO2(101)/(Si(111) and glass substrates using UHV ( 5 X 10 - 10 mbar) DC/RF magnetron sputtering. Typical sputtering conditions are shown in Table 1. The chemical composition and the cleanness of all samples was checked in situ, immediately after deposition, transferring the samples to an UHV ( 4 X 10 - 11 mbar) analysis chamber equipped with XPS and AES. Resuults showed that the Co sublayers groww in the soft magnetic nanocrystalline phase for a thickness lower than the critical one (2.8 - 3.0 nm0. In that case, the average Co grain size is significantly smaller than the magnetic exchange length for the Co layer ( L ex). For a thickness greater than the d crit, the Co sublayers undergo a structural transition to the polycrystalline phase with average grains size d > l ex.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.