Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: parametry rozproszenia

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Symulacje z zastosowaniem macierzy S przy weryfikacji symulatorów wyładowań elektrostatycznych

Dróżdż T.

Przegląd Elektrotechniczny

2017

R. 93, nr 12

87--90

W referacie przedstawiono algorytm pomiary macierzy S oraz jej zastosowanie do symulacji zjawisk fizycznych zachodzących w układach elektrotechnicznych. W obliczeniach zastosowano rzeczywiste parametry S elementów toru pomiarowego generatorów ESD zgodnych z norma EN 61000-4-2: 2009. Przedstawiono wyniki symulacji metodykę pomiarów, zaprezentowano przykładowe obliczenia oraz wykresy uzyskane podczas symulacji.

The paper presents the algorithm of S matrix measurement and its application to the simulation of physical phenomena occurring in electrical systems. The real S parameters of the ESD generator components were used in calculations, according to standard EN 61000-4-2: 2009. The simulation results, the measurement methodology, sample calculations and graphs obtained during the simulation were presented.

Interconnections coupling through substrate for frequencies up to 100 GHz

Gerakis V, Hatzopoulos A.

International Journal of Microelectronics and Computer Science

2014

Vol. 5, nr 4

144--148

This work presents a study on the substrate noise coupling between two interconnects. A highly, a lightly and a uniformly doped substrate, approximating most modern technologies, are described. The three different doping profiles are simulated for various interconnect distances and different metal layers assuming a 65 nm bulk CMOS technology. A proper data analysis methodology is presented, including z and s parameters extraction and de-embedding procedure.

Mikrofalowe przesuwniki fazy do wielowrotowych systemów mierzących parametry rozproszenia

Morawski T., Zborowska J., Bury M., Kozłowski S.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2005

Vol. 46, nr 1

6-9

Przedstawiono metody projektowania mikrofalowych przesuwników fazy z diodami PIN oraz diodami waraktorowymi. Układy te są stosowane w przełączanych wielowrotowych systemach do pomiaru parametrów rozproszenia. Stosuje się tu zarówno układy o przełączanej reflektancji, jak i układy o przełączanej transmitancji. Powinny być trójstanowe i zapewniać w szerokim paśmie częstotliwości zmiany fazy w przybliżeniu równe 120°.

The paper concerns methods for designing microwave phase shifters comprising PIN and waractor diodes. These devices are applicable in multiport S-parameters measuring systems. There are used both devices with switched reflectance and switched transmittance. They should provide three possible states and phase differences between them equal to approximately 120 degrees in a wide frequency band.