Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Przegląd Elektrotechniczny

1 2018

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: parallel placement

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Porównanie falowników klasy D-ZVS 300 kHz do nagrzewania indukcyjnego z tranzystorami MOSFET na bazie Si oraz SiC

Kasprzak M., Przybyła K.

Przegląd Elektrotechniczny

2018

R. 94, nr 3

60--64

W artykule przedstawiono wyniki porównania falowników klasy D-ZVS, 300 kHz i mocy ok. 20 kW. Falowniki zbudowano na tranzystorze CAS120M12BM2 (SiC, 138 A) oraz 5-ciu równolegle połączonych tranzystorach IXFN 44N80P (Si, 5x25 A). Falownik z SiC MOSFET w porównaniu do 5xSi MOSFET uzyskuje (8-26)% wyższą moc wyjściową, sprawność jest o 2% wyższa, moc sterowania obwodu bramkowego jest 2,5 razy niższa. Równoległe połączenie kilku Si MOSFET jest dopuszczalne w przypadku dużej mocy falownika, ok. 20 kW lub większej.

Comparison results of 300 kHz, 20 kW Class D-ZVS inverters are presented in the paper. Inverters were based on CAS120M12BM2 (SiC, 138 A) transistor and 5 parallel placed IXFN 44N80P (Si, 5x25 A) transistors. The inverter with SiC MOSFET in comparison with 5xSi MOSFET achieves (8-26)% higher output power, higher efficiency by 2% and gate circuit power losses are 2.5 times lower. The parallel placement of several Si MOSFET transistors is acceptable in the inverter of high power, 20 kW or more.