Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2004

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: p-well ISFET

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Rozwój konstrukcji i technologii jonoczułych tranzystorów polowych

Jaroszewicz B., Tomaszewski D., Kociubiński A., Nikodem M., Grabiec P., Pijanowska D., Torbicz W., Chudy M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2004

Vol. 45, nr 10

27-28

W pracy przedstawiono opracowania dwóch konstrukcji czujników typu jonoczuły tranzystor polowy, ISFET. W pierwszej konstrukcji, zwanej Front Side Contact ISFET (FSC ISFET), elektrody źródła (S) i drenu (D) oraz bramkę tranzystora umieszczono na przedniej stronie struktury. W drugiej konstrukcji - Back Side Contact ISFET (BSC ISFET), elektrody S i D zostały umieszczone na tylnej stronie struktury, tj. po stronie przeciwnej od jej strony czołowej zawierającej chemicznie czuły obszar bramki. Przyrządy zostały scharakteryzowane pod kątem oceny parametrów elektrycznych tranzystora polowego, jak również parametrów chemicznych.

Two ISFETs designs have been presented in this paper. In the first design called Front Side Contact ISFET, the transistor source (S), drain (D) electrodes and the gate have been placed on the front side of the structure. In the second one called Back Side Contact ISFET, the electrodes S and D have been placed on the opposite side to the front surface with the gate functioning as a chemically sensitive area. The assembled devices have been characterised electrically and tested in the solutions of different pH.