Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2014

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!
Sesja wygasła!
Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: p-type materials

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Przezroczysty amorficzny półprzewodnik tlenkowy Zn-Ir-Si-O

Grochowski J., Kamińska E., Kaczmarski J., Piotrowska A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2014

Vol. 55, nr 9

30-32

W opracowaniu proponujemy nową technikę kontroli koncentracji dziur w warstwach Zn-Ir-O przy zachowaniu wysokiego poziomu transmisji optycznej. Prezentowane podejście polega na wprowadzeniu krzemu do cienkich warstw o strukturze spinelu w trakcie procesu osadzania. Dodanie tlenku krzemu o amorficznej mikrostrukturze do tlenku irydu zapobiega powstawaniu faz krystalicznych IrO2 wspomagając amorfizację oraz obniżając koncentrację swobodnych nośników. W zależności od stosunku Zn:Ir:Si:O uzyskano rentgenowsko amorficzne cienkie warstwy o przewodnictwie dziurowym. Najlepsze wyniki uzyskano dla próbek o składzie Zn3Ir8Si33O56. Materiał ten charakteryzował się opornością ρ = 0,6 Ωcm, koncentracją dziur p = 1•1018 cm-3 oraz ruchliwością µp = 2 cm2/Vs. Transmisja optyczna w zakresie widzialnym widma promieniowania elektromagnetycznego przekracza 70%, a szerokość przerwy energetycznej to 3,0 eV. Analiza HRTEM sugeruje, że ZnIrSiO składa się z nanoziaren Ir3Si i ZnIr2O4 zawieszonych w amorficznej matrycy.

In this report, we propose a novel technique to control hole concentration in Zn-Ir-O thin films while retaining high optical transmission. Our approach relies on adding a controlled amount of silicon during thin spinel-type films deposition process. Addition of amorphous silicon oxide to iridium oxide is known to frustrate crystal growth of the latter one enhancing amorphization and lowering free carrier concentration. Depending on Zn:Ir:Si:O ratios, various p-type conductive XRD amorphous thin films were obtained. The best results were achieved for samples with a composition Zn3Ir8Si33O56, as obtained from RBS analysis. Transport properties were as follows: resistivity ρ = 0.6 Ωcm, hole concentration p = 2∙18 cm-3and mobility µ = 2 cm2/Vs. Optical transmission in the visible wavelength region is 70% and band gap width exceeds 2.6 eV. HRTEM analysis strongly suggests that ZnIrSiO is composed of Ir3Si, IrO2 and ZnIr2O4 nanograins embedded in an amorphous matrix.