Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: pływający potencjał podłoża

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Nowe aspekty zjawisk podłożowych w tranzystorach SOI-MOS

Janczyk G.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2004

Vol. 45, nr 10

25-26

Stosowane obecnie modele symulacyjne elementów MOS SOI nie uwzględniają rzeczywistych zjawisk podłożowych. Zastępują je empirycznymi współczynnikami kalibrującymi. Opracowano szkielet nowego, sekcyjnego modelu symulacyjnego elementów MOS SOI.

Popular models of MOS SOI devices neglect real phenomena present within the device substrate. There are many of fitting only, empiric parameters emulating real body phenomena. New compact MOS SOI model was developed and introduced as an alternative to the existing models.