Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: półprzewodnikowe elementy mocy

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Wybrane problemy konstrukcji i montażu układów RF

Kowalke Wojciech, Górecki Krzysztof, Ptak Przemysław

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2021

Vol. 62, nr 11

16--22

W pracy przedstawiono wybrane problemy konstrukcji i montażu układów elektronicznych dedykowanych do pracy w zakresie wysokich częstotliwości. Opisano problem powiązania procesu projektowania układów elektronicznych w odniesieniu do wymogów jakościowych. Rozważono wpływ wybranych parametrów elektrycznych na konstrukcje wybranych elementów mocy. Na przykładzie wzmacniacza Doherty’ego opisano właściwości układu wzmacniającego RF i jego konstrukcję ze szczególnym uwzględnieniem procesu jego montażu na płytce drukowanej. Omówiono problemy związane z różnymi ograniczeniami takich układów, w tym konstrukcyjne. Na przykładzie wzmacniacza Doherty’ego, przedstawiono sposób wzmocnienia sygnałów RF, który pozwala zredukować koszt drogich elementów elektronicznych mocy stosowanych w układach wzmacniaczy mocy.

The paper presents selected problems of the construction and assembly of electronic systems dedicated to operate in the high frequency range. The problem of linking the process of designing electronic circuits with regard to quality requirements are described. The influence of selected electrical parameters on the structures of selected power devices is considered. Using the example of the Doherty amplifier, the properties of the RF amplifying circuit and its construction are described, with particular emphasis on the process of its assembly on a printed circuit board. Problems related to various limitations of such systems, including design, are discussed. On the example of the Doherty amplifier, a method of amplifying RF signals is presented, which allows to reduce the cost of expensive power electronic components used in power amplifiers.

Półprzewodniki szerokoprzerwowe dla elektroniki i fotoniki

Jeleński A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2005

Vol. 46, nr 11

19-24

Artykuł omawia właściwości półprzewodników z szeroką przerwą energetyczną i wynikające z nich możliwości zastosowań w warunkach, w których wymagane są duże napięcia przebicia, gęstości prądu lub wysokie temperatury pracy. Właściwości azotku galu, węglika krzemu i diamentu porównane są z krzemem jako materiałem najszerzej stosowanym w elektronice. Omówione są także przykłady zastosowań tych materiałów w elektronice mocy, urządzeniach energetycznych, mikrofalowych, a także w optoelektronice, jako lasery i diody luminiscencyjne, niebieskie i UV.

Properties of wide band semiconductors enabling their applications in harsh environment or in devices having a large breakdown voltage or high current density are described. Properties of gallium nitride, silicon carbide and diamond are compared with properties of the most widely used material in electronics - silicon. Possible applications of these materials in power electronics, electrical power systems, microwaves and also in optoelectronics as blue and UV lasers and LED's are also presented.