Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: półprzewodnik organiczny

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

The electrical-generating structure based on NiPc in ammonia medium

Hotra Z., Volynyuk D., Bakhmatyuk B., Kostiv N., Voznyak L.

Prace Instytutu Elektrotechniki

2010

Z. 247

5-11

In this work we presented a result of structural and electrophisical investigation of electrical-generating barrier structure based on organic semiconductor NiPc. It was studied the current-voltage and impedance characteristics of structure ITO/NiPc/Al under the influence of ammonia vapors and was revealed the current and conductivity increase of structure in ammonia medium. Also we modeled impedance characteristics using the Constant Phase Element CPE what shows that the change in resistance occurs as a result of a chemical interaction.

W pracy przedstawiono wyniki badań dotyczących strukturalnych elektrofizycznych własności bariery generującej napięcie elektryczne opartej na półprzewodniku organicznym NiPc. Przebadane zostały charakterystyki prądowo-napięciowa i impedancyjna struktur ITO/NiPc/Al umieszczonych w amoniaku. Wykazano, że dzięki zastosowaniu amoniaku, wzrasta natężenie prądu i konduktywność całej struktury. W dalszej części zamodelowano charakterystykę impedancyjną używając elementów o stałej fazie (ang. CPE), co udowodniło, że zmiany rezystancji pojawiają się w wyniku reakcji chemicznej.

Transport properties of as-deposited cadmium phthalocyanine Schottky-barrier devices

Samuel M., Menon C. S., Unnikrishnan N. V.

Materials Science Poland

2007

Vol. 25, No. 1

177--184

Sandwich samples of the type (Au-CdPc-Al) have been fabricated by successive vacuum deposition of gold (Au), cadmium phthalocyanine (CdPc), and aluminium (Al) thin films on glass substrates. Good rectification properties have been observed in the device. Ohmic conduction in the lower voltage range has been identified from the forward bias current density-voltage characteristics at room temperature. At higher voltages, a space charge limited conductivity (SCLC) controlled by an exponential trapping distribution above the valence band edge has been observed. The transport properties of the material at ambient temperature have been obtained from an analysis of the samples in the SCLC region. Schottky emission has been identified at lower voltages from the analysis of the reverse bias characteristics.