Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Przegląd Elektrotechniczny

1 2013

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: osadzanie laserowe impulsowe

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Effects of Al dopant on structural and optical properties of ZnO thin films prepared by sol-gel

Pogrebnjak A. D., Muhammed A. A., Karash E. T., Jamil N. Y., Partyka J.

Przegląd Elektrotechniczny

2013

R. 89, nr 3b

315--317

Transparent and conductive Al doped ZnO thin films were synthesized at room temperature by sol gel technique both pure ZnO and Aldoped( 1,3,and5%) thin films were deposited on a glass substrate. The sols were prepared using zinc acetate dehydrate and aluminum chloride provides Al ions, played an important role in improvement of the c – axis, the structural characteristics have been studied by X-ray diffraction, and UV–Vis-NIR spectroscopy. The films are transparent from the near ultraviolet to the near infrared, SEM image also showed that the average grain size is decreased with increasing of Al concentration, band gap values of prepared thin films varied in the range of (3.18 – 3.42 eV).

Przejrzyste i przewodzące cienkie warstwy Al domieszkowane ZnO zostały zsyntetyzowane w temperaturze pokojowej techniką zolżel. Na podłożu szklanym naniesiono cienkie warstwy Al niedomieszkowanego oraz domieszkowanego ZnO w stosunku 1, 3, i 5%. Zole zostały przygotowane wykorzystując dwuwodny octan cynku i chlorek aluminium. Jony Al odegrały ważną rolę w ulepszaniu osi c. Charakterystyki stukturalne przebadano metodą dyfrakcji rentgenowskiej i spektroskopii UV-Vis-NIR. Warstwy są przejrzyste od bliskiego ultrafioletu do bliskiej podczerwieni. Obrazy SEM wykazały również, że średni rozmiar ziarna zmniejsza się wraz ze wzrostem poziomu domieszkowania Al. Wartości przerw między pasmami w przygotowanych cienkich warstwach zmieniały się w zakresie (3.18 – 3.42 eV).