Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Szymanowski H.

1 2000

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: organogermanium film

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Cienkie warstwy germanowęglowe otrzymywane w wyładowaniu jarzeniowym - struktura chemiczna.

Szymanowski H.

Inżynieria Materiałowa

2000

R. XXI, nr 6

457-459

Badając procesy nakładania w nowym trójelektrodowym reaktorze plazmowym stwierdzono bardzo dużą zależność właściwości otrzymanej warstwy od jednego z parametrów prowadzenia procesu. Wykorzystując różne techniki badawcze poszukiwano odpowiedzi na pytanie: jakie zmiany budowy chemicznej produktu są odpowiedzialne za tak drastyczne zmiany we właściwościach warstwy a-GexCy:H. Dokonano także obliczeń stopnia upakowania warstwy. Na tej podstawie stwierdzono, że zgodnie z teorią stanu amorficznego izolatora, przejście do struktury amorficznego półprzewodnika następuje wówczas, gdy stopień uporządkowania osiągnie odpowiednią wartość krytyczną. Taki typ zmiany właściwości elektronowych nosi nazwę przejścia o charakterze perkolacyjnym.

The new type of reactor for plasma deposition activated by audio frequency electric field was tested for deposition of amorphous hydrogenated films (a-GexCy:H). It was found that small changes of a coupling capacity in the system can cause a step change in the electronic structure of deposited films. Such a change, however, was not manifested by the molecular structure and only monotonic changes of Ge content and cross-linking were observed. The step in the electronic structure was attributed to the amorphous semiconductor-amorphous dielectric transition.