Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: organogermanium compounds

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Cienkie warstwy germanowo-węglowe wytwarzane w plazmie wysokiej częstotliwości z germanoorganicznych związków wyjściowych

Gazicki-Lipman M.

Zeszyty Naukowe. Rozprawy Naukowe / Politechnika Łódzka

2000

Z. 269

7-165

Przedmiotem niniejszej rozprawy jest wytwarzanie oraz badanie struktury i właściwości warstw germanowo-węglowych przy użyciu techniki plazmochemicznej z zastosowaniem związków germanoorganicznych jako przekursorów. W odróżnieniu od sposobów wytwarzania warstw typu IV-IV taką techniką plazmochemiczną, w której substancję wyjściową stanowi mieszanina gazowych połączeń poszczególnych pierwiastków (takich jak CH4, C2H4, C2H2, SiH4, GeH4) metoda ta charakteryzuje się użyciem jednego materiału wyjściowego, jakim są pary związku germanoorganicznego. Zalety takiego rozwiązania obejmują użycie łatwiejszych i bezpieczniejszych w obsłudze związków ciekłych, często o niskich prężnościach par, które nie mają właściwości samozapalnych ani wybuchowych. Inną ważną zaletą tej metody jest możliwość kontrolowania struktury oraz właściwości wytworzonego materiału bez potrzeby zmiany składu mieszaniny wyjściowej. W szczególności, niniejsza rozprawa dotyczy mechanizmu nanoszenia, struktury chemicznej, właściwości fizycznych oraz potencjalnych zastosowań warstw germanowo-węglowych wytwarzanych z czteroalkilowych pochodnych germanu, takich jak tetrametyloger-man oraz tetraetylogerman w plazmie wyładowania jarzeniowego wysokiej częstotliwości. W układzie tym warunki deficytu energii prowadzą do nanoszenia warstw plazmowych polimerów germanoorganicznych, zaś warunki deficytu masy do wytworzenia amorficznych, uwodornionych warstw germanowo-węglowych o właściwościach typowych dla amorficznych półprzewodników. W rozprawie określone są warunki powstawania obu rodzajów warstw, jak również różnice w ich budowie chemicznej i właściwościach fizycznych. Dla obu rodzajów warstw zaproponowane zostały hipotetyczne modele strukturalne. W przypadku amorficznych, uwodornionych warstw germanowo-węglowych, których stabilność termiczna w zakresie temperatur 20-800°C uzasadnia taką aplikację, zaproponowane jest również ich zastosowanie jako materiału na mikrotermistorowe czujniki temperatury. Wyniki przedsawione w niniejszej rozprawie pozwalają również na pewne uogólnienia, z których najważniejszym jest wprowadzenie pojęcia specyficznej wydajności nanoszenia warstwy DR/FM. Wielkość ta, zaproponowana i przetestowana przez autora, stanowi bardzo dobre narzędzie do porównywania różnych procesów nanoszenia warstw z fazy gazowej z udziałem wspomaganych plazmą reakcji chemicznych.

The work is devoted to the production of germanium-carbon thin films with the help of plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD) technique using organogermanium compounds as precursors as well as to the investigation of these films' chemical structure and properties. In contrast to those methods of plasma deposition of IV-IV materials which employ a mixture of gaseous compounds of particular elements (such as CH4, C2H4, C2H2, SiH4, GeH4) the present method is characterized by a use of a single source starting material which, in the presented case, is a vapour of an organogermanium compound. The advantages of such a solution include a use of easier to handle as well as safer liquid compounds, often characterized by a low magnitude of saturated vapour pressure, which are neither explosive nor flammable. Another important advantage of the presented method is a possibility to control the structure and properties of the deposited material without a necessity to change the composition of the starting mixture. In particular, the present work concerns a deposition mechanism, chemical structure, physical properties and potential applications of germanium-carbon films produced from tetraalkylgermanium compounds such as tetramethylgermanium and tetraethylgermanium, in a non-equilibrium plasma of a RF glow discharge. In such a system energy deficit conditions result in thin films of organogermanium plasma polymers, while mass deficit conditions lead to the deposition of films of amorphous hydrogenated germanium-carbon alloys whose properties are characteristic for amorphous semiconductors. Deposition conditions for both types of materials as well as qualitative differences in their chemical structure and physical properties have been determined. For both categories hypothetical models of their chemical structure have been proposed, based on a random network approach. In the case of amorphous hydrogenated germanium-carbon alloys, whose thermal stability in the temperature range of 20-800°C justify such a proposal, an application as a material for large range microthermistor temperature sensors has been suggested. In some cases the results of the presented work allow its author to carry out certain generalizing procedures. The most important of these procedures is a use of a term of a specific deposition yield DR/FM. This parameter, introduced and verified by the author, constitutes an excellent tool for comparisons of different processes of plasma enhanced chemical vapour deposition.