Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: organiczny tranzystor polowy

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Organiczne tranzystory polowe jako czujniki gazów

Franz M., Godlewski J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2017

Vol. 58, nr 3

23--27

Artykuł przedstawia zasadę działania, podstawowe parametry oraz charakterystyki prądowo-napięciowe organicznych tranzystorów polowych (OFET) oraz możliwości wykorzystania tych urządzeń jako czujników gazów. Przedstawiono zasadę działania czujników gazów wykorzystujących OFET, a także potencjalne możliwości aplikacyjne tych urządzeń. Praca przedstawia ponadto przegląd najnowszych doniesień literaturowych dotyczących organicznych tranzystorów polowych jako czujników gazów.

The article presents the operating principle, the basic parameters and the current-voltage characteristics of organic field effect transistors (OFET) also the possibilities of using these devices as gas sensors are described. The working principles of OFET-based gas sensors are discussed in detail, as well as the potential application of these devices. The work also presents an overview of the latest reports on organic field effect transistors as gas sensors.

Surface Morphology of Polyimide Thin Film Dip-Coated on Polyester Filament for Dielectric Layer in Fibrous Organic Field Effect Transistor

Rambausek L., Bruneel E., Van Driessche I., Van Langenhove L.

Autex Research Journal

2014

Vol. 14, no. 3

152--160

The idea of wearable electronics automatically leads to the concept of integrating electronic functions on textile substrates. Since this substrate type implies certain challenges in comparison with their rigid electronic companions, it is of utmost importance to investigate the application of materials for generating the electronic functions on the textile substrate. Only when interaction of materials and textile substrate is fully understood, the electronic function can be generated on the textile without changing the textile’s properties, being flexible or stretchable. This research deals with the optimization of the dielectric layer in a fibrous organic field effect transistor (OFET). A transistor can act as an electrical switch in a circuit. In this work, the polyimide layer was dip-coated on a copper-coated polyester filament. After thoroughly investigating the process conditions, best results with minimal thickness and roughness at full insulation could be achieved at a dip-coating speed of 50 mm/min. The polyimide solution was optimal at 15w% and the choice for the solvent NMP was made. In this paper, details on the pre-treatment methods, choice of solvent and dip-coating speed and their effect on layer morphology and thickness, electrical properties and roughness are reported. Results show that the use of polyimide as a dielectric layer in the architecture of a fibrous OFET is promising. Further research deals with the application of the semiconductor layer within the mentioned architecture, to finally build an OFET on a filament for application in smart textiles.