Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: optoelectrical properties

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Development of the photostimulated Kelvin Probe Force Microscopy setup. The tool for nanoscale diagnostic of optoelectrical properties of the surface

Sikora A., Bednarz Ł.

Przegląd Elektrotechniczny

2015

R. 91, nr 9

166-169

In this paper we describe the development of the photostimulated Kelvin Probe Force Microscopy (ps-KPFM) measurement technique allowing to perform mapping of the electrical response of the material to optical excitation. The general information concerning the principles of the measurement setup and the data acquisition procedures as well as the examples of collected data is shown. In particular, the solution allowing to perform a number of measurements according to specific protocol is here sescribed. The developed system is capable of delivering the information about the electrical properties changes due to the specific light wawelength illumination of LED’s in range from 390 nm to 940 nm as well as for the xenon lamp.

W niniejszej pracy zaprezentowano konstrukcję systemu pomiarowego fotostymulowanej mikroskopii sił z sondą Kelvina (ps-KPFM), umożliwiającą mapowanie odpowiedzi elektrycznej powierzchni na pobudzenie optyczne. Przedstawiono kluczowe informacje dotyczące konstrukcji, procedur pomiarowych, jak również zaprezentowano przykłady wyników pomiarowych. Do szczególnych cech opisanego układu należy możliwość wykonywania pomiarów z wykorzystaniem wcześniej opracowanych protokołów. Zbudowany układ pomiarowy umożliwia uzyskanie informacji o optoelektrycznych właściwościach powierzchni dla pobudzenia źródłami światła LED w przedziale od 390 nm do 940 nm oraz lampą ksenonową.

Effect of working pressure on the structural, optical and electrical properties of titanium-gallium co-doped zinc oxide thin films

Zhang T., Zhong Z.

Materials Science Poland

2013

Vol. 31, No. 3

454--461

The transparent conducting titanium-gallium co-doped zinc oxide (TGZO) thin films were grown on glass substrates by radio-frequency magnetron sputtering technique. The effects of working pressure on the structural, optical and electrical properties of the films were investigated. The results show that the deposited films are polycrystalline with a hexagonal wurtzite structure and highly textured along the c-axis perpendicular to the substrate. The TGZO film prepared at the working pressure of 0.4 Pa exhibits the best crystallinity, the maximal grain size, the highest transmittance, the lowest resistivity and the highest figure of merit. The optical constants of the films were calculated using the method of optical spectrum fitting. The dispersion behavior of the films was studied by the single-electronic oscillator dispersion model. The oscillator parameters and optical bandgaps were determined. The results demonstrate that the microstructure and optoelectrical properties of the TGZO films are dependent on the working pressure.