Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 2010

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: opto-electronic materials

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Nieniszcząca spektroskopia fotoakustyczna w zastosowaniu do wyznaczania wydajności luminescencji jonów Mn2+ w kryształach mieszanych Zn1-x-yBexMnySe

Maliński M. A., Chrobak Ł. B.

Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej

2010

Nr 2

5--13

Artykuł ten przedstawia zastosowanie nieniszczącej spektroskopii fotoakustycznej do wyznaczani wydajności kwantowej i energetycznej luminescecji jonów Mn2+ w kryształach Zn1-x-yBexMnySe.

This paper is to present the application of the nondestructive photoacoustic spectroscopy method of determination of the quantum and energy efficiencies of luminescence of Mn2+ ions in the Zn1-x-yBexMnySe crystals.

Organic field-effect transistors

Małachowski M. J., Żmija J.

Opto-Electronics Review

2010

Vol. 18, No. 2

121-136

The paper reviews the recent year publications concerning organic field-effect transistors (OFETs). A lot of works have been performed to help understanding the structural and electrical properties of materials used to construct OFETs. It has been established that in partially ordered systems, the charge transport mechanism is thermally activated and field-assisted hopping transport and the hopping transport between disorder-induced localized states dominate over intrinsic polaronic hopping transport seen in organic single crystals. Many research attempts have been carried out on the design of air-stable organic semiconductors with a solution process which is capable of producing OFETs with excellent properties and good stability when subjected to multiple testing cycles and under continuous electrical bias. Recent experiments have demonstrated ambipolar channel conduction and light emission in conjugated polymer FETs. These achievements are the basis for construction of OLED based displays driven by active matrix consisting of OFETs.