Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: optical transitions

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Contactless electroreflectance spectroscopy of optical transitions in low dimensional semiconductor structures

Misiewicz J., Kudrawiec R.

Opto-Electronics Review

2012

Vol. 20, No. 2

101-119

The authors present the application of contactless electroreflectance (CER) spectroscopy to study optical transitions in low dimensional semiconductor structures including quantum wells (QWs), step-like QWs, quantum dots (QDs), quantum dashes (QDashes), QDs and QDashes embedded in a QW, and QDashes coupled with a QW. For QWs optical transitions between the ground and excited states as well as optical transitions in QW barriers and step-like barriers have been clearly observed in CER spectra. Energies of these transitions have been compared with theoretical calculations and in this way the band structure has been determined for the investigated QWs. For QD and QDash structures optical transitions in QDs and QDashes as well as optical transitions in the wetting layer have been identified. For QDs and QDashes surrounded by a QW, in addition to energies of QD and QDash transitions, energies of optical transitions in the surrounded QW have been measured and the band structure has been determined for the surrounded QW. Finally some differences, which can be observed in CER and photoreflectance spectra, have been presented and discussed for selected QW and QD structures.

Fotoemisja a przejścia optyczne

Wojas J., Wojas W.

Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej

2003

Vol. 52, nr 12

49-88

Treścią pracy jest analityczne przedstawienie mechanizmu fotoemisji skorelowanego z przejściami optycznymi. Przedyskutowano klasyczne modele pasmowe fotoemisji zależne od przejść objętościowych. Omówiono wpływ przypowierzchniowego wygięcia pasm energetycznych na parametry fotoemisji. Z danych doświadczalnych: z widm odbicia, z widm wydajności kwantowej i rozkładu fotoelektronów zostały wyciągnięte informacje co do energetycznej struktury warstw przypowierzchniowych półprzewodników, przedstawionych na rysunkach.

The paper is devoted to the analysis of photoemissive mechanism which is corelated with the optical transitions of electrons. The classical models of photoemission based on the volume, optical transitions are discussed. The dependence of the photoemissive parameters of semiconductors on the surface band bending is described. From the experimental data: for example from the reflective spectra the quantum yield functions and the photoelectron distributions, the informations about the energy structure of surface layers of semiconductors are indicated and presented in the graphic form.