Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Photoresistor based on ZnO nanorods grown on a p-type silicon substrate

Witkowski B. S, Pietruszka R., Gieraltowska S., Wachnicki L., Przybylinska H., Godlewski M.

Opto-Electronics Review

|

2017

|

Vol. 25, No. 1

15--18

EN

In this work we discuss a method of preparation of a highly sensitive light detector based on ZnO nanorods. A photoresistor constructed by us is based on a heterojunction between high quality ZnO nanorods and high resistivity p-type Si used as a substrate for nanorods’ deposition. ZnO nanorods are grown by a modified version of a microwave assisted hydrothermal method which allows for growth of high quality ZnO nanorods in a few minutes. The obtained photoresistor responds to a wide spectral range of light starting from near infrared (IR) to ultraviolet (UV). Properties of the detector are evaluated. We propose the use of the detector as an optical switch.

2

Światłowodowy czujnik temperatury progowej na bazie wypełnionego włókna mikrostrukturalnego

Marć P., Piliszek P., Nasiłowski T., Murawski M., Szymański M., Jaroszewicz L. R., Pawlik K.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2012

|

Vol. 53, nr 11

44-45

PL

W artykule przedstawiono technologię i wyniki eksperymentalne światłowodowego czujnika temperatury progowej zbudowanego na bazie wypełnionego substancją organiczną włókna mikrostrukturalnego. Do konstrukcji czujnika wybrano najprostszą konfigurację natężeniowego czujnika światłowodowego. Czujnik składa się ze źródła światła, patchcordu światłowodowego z wypełnionym włóknem mikrostrukturalnym oraz fotodetektora. Patchcord światłowodowy będący optodątego czujnika to częściowo wypełniony odcinek włókna mikrostrukturalnego wspawany pomiędzy dwa odcinki standardowego włókna światłowodowego. Mieszanina wypełniająca został przygotowana tak, aby zmiany temperatury w czasie ogrzewania lub chłodzenia wypełnionej części włókna zmieniały jej współczynnika załamania dając w efekcie zerowe natężenie wiązki świetlnej poniżej temperatury progowej oraz dużą wartość tego natężenia powyżej tej temperatury. Efekt skokowej zmiany współczynnika załamania wypełniającej substancji organicznej osiągany jest w trakcie jej zmiany stanu skupienia ze stałej na ciekłą. Dzięki temu możliwe jest rozróżnienie stanu włączenia dla niskiego współczynnika załamania cieczy oraz stanu wyłączenia dla wysokiego współczynnika załamania substancji w stanie stałym.

EN

Variable optical attenuators (VOAs) play an important role in optical communications as equalizers for dynamic channel power and wavelength division multiplexing in a transmission system. Controlling and monitoring of optical power are also necessary in sensing applications, and especially, in optical systems which require high power laser operation or critical temperature threshold monitoring. Various types of VOA have been developed based on different mechanisms, such as bending loss control, light leaking from the fibre cladding, temperature tuning of the polymer incorporated into the tapered microstructured fibre or electrical tuning of the liquid crystal layers.In this paper we would like to discuss the highly dynamic VOA based on a tuneable microstructured fibre filled with different chemical mixtures used as an on/off temperature switch. Furthermore, the technology of low loss coupling and splicing of the applied MSF with a standard single mode fibre has been developed. Therefore, in the proposed application an optical signal can be transmitted to and from the switch by a standard telecom fibre which considerably reduces transmission losses and allows for the use of standard off-the-shelf components reducing costs of the overall system.

3

Integrated CMOS system and thermally actuated optical switch for wavelength modulation/lock in communication network

Liou J. C., Tseng F. G.

Opto-Electronics Review

|

2009

|

Vol. 17, No. 4

300-308

EN

The advancement of communication technology and growth of internet traffic have continuously driven the fast evolution of networks. Compared to the traditional optoelectronic switch, all-optical switch provides high throughput, rich routing functionalities, and excellent flexibility for rapid signal exchange in fiber optical network. Among various all-optical switches, thermal actuated ring switch provides the advantages of high accuracy, easy actuation, and reasonable switching speed. However, when scale up, thermal ring switch may encounter issues related to fabrication error, non-accurate wavelength response, and large terminal numbers in the control circuit. In this research, we propose the employment of an integrated CMOS control circuit to compensate the fabrication error and tune as well as lock the wavelength in a thermal-actuated ring-type optical switch through a frequency modulation scheme. Additional functionalities can also be added in this circuit by tailoring externally the roundtrip loss or coupling constants of the ring. The design concept can be easily scaled up for large array optical switch system without much change in the terminal numbers thanks to the three-dimensional hierarchy of control circuit design, which effectively reduces the terminal numbers into the cubic root of the total control unit numbers. The integrated circuit has been designed, simulated, as well as fabricated, and demonstrated a decent performance with free spectral range (FSR) equal to 1.5 nm at 1534 nm and very accurate wavelength modulation to 0.3 nm within 0.01 nm fluctuation for thermal actuated ring type optical switch.

4

Przyczyny skrócenia czasu wyłączania kluczy nadprzewodnikowych z warstwą buforową

Waśkiewicz J.

Zeszyty Naukowe Politechniki Białostockiej. Elektryka

|

2002

|

Z. 16

157-167

PL

W literaturze dotyczącej nadprzewodnikowych przełączników optoelektronicznych omówione jest dziwne zjawisko polepszenia właściwości dynamicznych w wyniku wprowadzenia do struktury cienkowarstwowej warstwy buforowej z materiału źle przewodzącego ciepło. W prezentowanej pracy podano interpretację przyczyn tego zjawiska na podstawie analizy niestacjonarnych pól temperatury w strukturze elementu. Analizę przeprowadzono metodą modelowania numerycznego procesów cieplnych w strukturze cienkowarstwowej, składającej się z nadprzewodnika wysokotemperaturowego YBa2Cu3O7-x napylonego na podłoże MgO z warstwą pośrednią SrTiO3. Podstawową przyczyną skrócenia czasu wyłączania klucza jest ograniczenie przez warstwę buforową dyfuzji ciepła do podłoża w czasie włączania klucza, w następstwie czego jego wyłączanie zachodzi na drodze odprowadzania ciepła do bardzo dobrze przewodzącego ciepło podłoża znajdującego się w temperaturze niższej niż temperatura wyłączania nadprzewodnika.

EN

Literature referring to superconductor optoelectronic switches report about curious phenomenon of improvement of dynamical properties as a result of introduction of a thin, low thermal conductivity buffer layer. Present paper is a trial of interpretation of this phenomenon basing on analysis of non-stationary temperature fields within the element's structure. The analysis has been made using the method of numeric modelling of thermal processes occurring within the thin-layer structure consisting of high-temperature superconductor YBa2Cu3O7-x sputtered over the MgO substrate and separated with an intermediate SrTiO3 layer. The essential reason of shortening of key's switch-off time is the fact that the buffer layer limits heat diffusion towards the substrate during switching-on time; as a result its switching-off occurs through heat abstraction towards the high thermal conductivity substrate which temperature is lower than the superconductor's switch-off temperature.