A time-domain model of a semiconductor layer with time-dependent inhomogeneous permittivity or conductivity is investigated by solving direct and inverse problems using a novel method, revealing a possibility of wavelength shifting and other desirable optical field transformation, as well as a remote diagnostics of fast time-varying inhomogeneous structures.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.