Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: optical beam

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Przestrzenne charakterystyki wiązek promieniowania emitowanego przez lasery półprzewodnikowe

Mroziewicz B., Pruszyńska-Karbownik E., Regiński K.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2014

Vol. 55, nr 3

84-88

Rozkład natężenia pola optycznego w wiązce emitowanej przez lasery, określany jako charakterystyka kierunkowa lasera, ma z reguły duże znaczenie z punktu widzenia zastosowań laserów w praktyce. W szczególności odnosi się to do laserów półprzewodnikowych, które generują wiązkę o dużej rozbieżności, często wielomodową i astygmatyczną. W artykule przedstawiono oryginalne urządzenie nazwane profilometrem goniometrycznym, które okazało się uniwersalne, a szczególnie przydatne do pomiarów kierunkowych charakterystyk kwantowych laserów kaskadowych emitujących w pasmie średniej podczerwieni. Załączono wyniki pomiarów testowych i płynące z nich wnioski. Pokazano, że opisywane urządzenie może również służyć do pomiaru charakterystyk laserów diodowych w innych pasmach częstotliwości pod warunkiem zastosowania odpowiedniego detektora.

Spatial distribution of the optical field emitted by lasers, called also a radiation profile, is extremely important for laser applications. That is particularly relevant to semiconductor lasers due to a high divergence, often multimode character, and an astigmatism of the beam they emit. In the paper presented is an original instrument called a goniometric profiler which has proved to be very useful for measurements of the quantum cascade lasers operating in the mid–IR range. The paper includes measurement results and related conclusions. It has been demonstrated that the instrument can also serve to measure characteristics of other semiconductor diode lasers at the frequency range limited only by the used detectors.

Optical beam injection methods as a tool for analysis of semiconductor structures

Domaradzki J., Kaczmarek D.

Optica Applicata

2005

Vol. 35, nr 1

129-137

Optical beam injection methods, such as an optical beam induced current (OBIC) one, have several advantages. Such methods enable a comprehesive analysis of photocuurent generated at the microregion of a semiconductor material or a device by focused light beam. In the paper, examples of applications of the OBIC method for: i) examination of the silicon p-i-n diodes used in a scanning electron microscope (SEM) as a detector and ii) localization of electrically active regions at the interface of the new transparent oxide semiconductor (TOS)-semiconductor structure have been outlined.