Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: oprawka tranzystora

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Powtarzalność elektrycznej charakteryzacji oprawki zawierającej połączenia drutowe

Kopyt P., Gryglewski D., Wojtasiak W., Gwarek W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2012

Vol. 53, nr 9

52-54

W artykule przedstawiono sposób wyznaczania wartości elementów zastępczych oprawki TO-39 zastosowanej jako obudowa detektora podczerwieni i połączonej z nim za pomocą połączeń drutowych. Wartości te są wyznaczane na podstawie pomiarów oprawki, w której chip detektora zastąpiono elementem zastępczym o znanych parametrach. Wrażliwość metody na długość połączeń drutowych łączących ten element z wyprowadzeniami została zbadana poprzez wielokrotne powtórzenie procedury dla różnych połączeń.

In this paper an approach to modeling of TO-39 packages employed for IR detectors wirebonded to the package leads is discussed. The sensitivity of the approach to varying lengths of the wirebonds used to connect the known 2-port to the package is analyzed. To this end, the structure was wirebonded several times. Each time it was measured so that the discrepancy in extracted parameters of the package equivalent circuit could be observed.

Charakteryzacja elektryczna ceramicznej oprawki tranzystora RF

Kopyt P., Gryglewski D., Korpas P., Wojtasiak W., Gwarek W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2011

Vol. 52, nr 9

82-85

W artykule opisano sposób modelowania ceramicznej oprawki mikrofalowego tranzystora mocy. W celu przeprowadzenia pomiaru chip tranzystora został zastąpiony niesymetryczną linią, paskową o wymiarach zbliżonych do chipu i połączonych z wyprowadzeniami obudowy wieloma równoległymi połączeniami drutowymi. Na podstawie pomiarów przygotowano pełnofalowy model oprawki i wykorzystano go do znalezienia parametrów jej obwodu zastępczego.

In this paper an approach to modeling of RF power transistor packages is discussed. The presented approach is based on measurements of a real package in which the transistor chip was replaced with a 2-port of known parameters and connected to the package leads with multiple parallel wirebonds. Based on measurements a full-wave model of the structure is prepared and used as an intermediary step to extract parameters of the equivalent circuit of the transistor package.