Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: open circuit voltage

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Electrical properties mono- and polycrystalline silicon solar cells

Dobrzański L.A., Szczęsna M., Szindler M., Drygała A.

Journal of Achievements in Materials and Manufacturing Engineering

2013

Vol. 59, nr 2

67--74

Purpose: The goal of this article was to compare the properties of mono- and polycrystalline silicon solar cells. It was based on measurements performed of current-voltage characteristics and calculated parameters using mathematical formulas. Design/methodology/approach: Light and dark current-voltage characteristics of solar cells were measured using a solar simulator PV Test Solutions company SS150AAA model. The measurements were performed under standard conditions (Pin = 1000 W/m², AM1.5G spectrum, T = 25°C). The basic characteristic of the solar cells were determined using the software SolarLab and calculated using mathematical formulas. Findings: Results and their analysis allow to conclude that measurements of current-voltage characteristics enable characterization of the basic parameters of solar cells. Can give important information about the property of prepared metallic contacts on the solar cells. Practical implications: Knowledge about the current-voltage characteristics of solar cells and their basic parameters enables the assessment of the quality of their production and the improvement. Originality/value: The paper presents some researches of the basic parameters of mono- and polycrystalline solar cells determining the current-voltage characteristics.

Badanie wpływu technologii na parametry wybranych elementów optoelektronicznych

Zborowska-Lindert I., Boratyński B., Paszkiewicz B., Ohly T.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2004

Vol. 45, nr 10

41-43

Przedstawiono wyniki badań związanych z konstrukcją i wytwarzaniem fotodetektorów MSM oraz mikrobaterii fotowoltaicznych ze związków Ga(Al,In)As. W prawidłowej konstrukcji obydwu grup przyrządów, niezwykle istotna jest minimalizacja prądu ciemnego i upływności elementów. Opisano efekty pasywacji powierzchni fotodetektorów poprzez zastosowanie warstw dielektrycznych Si3NOx i AIN. Badano także wpływ konpozycji materiału warstwy aktywnej mikrobaterii fotowoltaicznej na jej prąd zwarciowy i napięcie rozwarcia.

Influence of process technology on electrical parameters of Ga(Al,In)As MSM photodetectors and photovoltaic micro-arrays was envestigated. The effects of the dark current suppression due to surface passivation in MSM photodetectors with AIN and Si3NOx layers are presented. The photovoltaic arrays were fabricated as a series connection of seven Ga((Al,In)As PIN diodes. The influence of device active layer composition on the open circuit voltage and the short circuit current values was investigated.