Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 6

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  ogniwo cienkowarstwowe
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
PL
W artykule przedstawiono metodę rozpylania magnetronowego w zastosowaniu do nanoszenia cienkich warstw krystalicznych absorbera CIGS stosowanych w cienkowarstwowych ogniwach słonecznych. Metoda rozpylania magnetronowego jest efektywną metodą produkcji cienkich warstw CIGS. Proces nanoszenia warstw można podzielić na dwie zasadnicze części: pierwsza to tworzenie prekursora CIG, tj. nanoszenie warstw metalicznych miedzi, galu i indu w odpowiednich proporcjach. Etap drugi to krystalizacja absorbera CIGS w wyniku procesu wygrzewania prekursora w obecności selenu. W artykule skupiono się na opracowaniu odpowiednich proporcji poszczególnych pierwiastków wchodzących w skład prekursora. Przebadano następujące konfiguracje nanoszenia poszczególnych warstw absorbera: CuGa/In oraz CuGa/In/Cu. Poszczególne warstwy naniesione zostały na podłoże molibdenowe, stanowiące tylny kontakt ogniwa budowanego na bazie absorbera CIGS. Warstwa molibdenu została przebadana metodą czteroostrzową w celu znalezienia zależności rezystywności od grubości warstwy. Przeprowadzono analizę składu pierwiastkowego warstwy za pomocą skaningowego mikroskopu elektronowego wyposażonego w system EDS. Dla każdej z otrzymanych warstw określono atomowe współczynniki proporcji występowania miedzi oraz galu w składzie warstwy. Na podstawie otrzymanych wyników badań dokonano optymalizacji parametrów technologicznych procesu takich jak: moc katody, ciśnienie oraz czas procesu, a także temperatura. Znaleziono zależności grubości warstw w funkcji czasu nanoszenia dla ustalonych warunków ciśnienia i mocy. Grubości poszczególnych warstw określono na podstawie badań profilometrycznych. W oparciu o opracowane parametry wykonane warstwy prekursora poddawane są obróbce termicznej w celu uzyskania absorbera CIGS.
EN
This paper presents the sputtering magnetron system technology used to thin crystalline absorber deposition as a basic structure of CIGS solar cells. Magnetron sputtering is an effective method of thin CIGS layers production. Deposition process can be divided into two steps: first one is the precursor deposition which consist of deposition process of metallic layers with appropriate composition. Second step consist of crystallization process of CIGS absorber by heating precursor sample in high temperature in selenium ambient. This paper focuses on composition of the precursor structure. Following configuration of the layer structure has been investigated: CuGa/In and CuGa/In/Cu. As a substrate soda lime glass (SLG) covered by thin molybdenum layer deposited with use of sputtering magnetron system was chosen. Back contact Mo layer has been analyzed with use of four point probe in order to find dependence of the sheet resistance on thickness of the layer. With use of scanning electron microscopy with electron dispersive spectroscopy (EDS) system chemical characterization of the layers has been done. For each layer ratios of Cu/(In+Ga) and Ga/(In+Ga) have been calculated. On the basis of measurement results optimization of the technological parameters of the process like cathode power, pressure, temperature and deposition time was done. Dependence of the thickness of the layer in the function of deposition time for a given gas pressure and power has been found. In order to obtain CIGS absorber annealing process of precursor layer is demanded.
PL
W pracy zaprezentowano roczne pomiary mocy oraz sprawności systemu fotowoltaicznego wykorzystującego moduły z krzemu amorficznego Kaneka GEA060 oraz inwerter solarny Soladin 600 podłączony do uczelnianej sieci elektrycznej (on grid). Dodatkowo zaprezentowano sprawność inwertera solarnego. Przedstawiono miesięczne rozkłady nasłonecznienia na powierzchni pochylonej w Rzeszowie (50°02’N 22°17’E). Badania obejmują okres od 1 listopada 2013 do 31 października 2014. Moc szczytowa systemu wynosi 0,12kW. Wyniki ukazują, że roczna sprawność systemu fotowoltaicznego wykorzystującego kolektory z krzemu amorficznego wynosi 3,6%. Roczna produkcja energii eklektycznej oddanej do sieci wyniosła 45,8kWh z 1m2 powierzchni modułu, natomiast roczne nasłonecznienie na powierzchnię pochyloną pod kątem 30° wynosiło 1284 kWh/m2.
EN
The paper presents annual performance measurement of amorphous PV system. System consist of Kaneka GEO60 modules and solar inverter Soladin 600 connected to the University grid. The paper presents solar inverter and system efficiency. Monthly distributions of insolation on the tilted surface in Rzeszow (50 ° 02'N 22 ° 17'E) was presented. The study covers the period from 1 November 2013 to 31 October 2014. The peak power of the photovoltaic system is 0,12kW. The results show that the annual efficiency of solar photovoltaic system is 3.57%, the annual production of electricity was 45,8kWh of 1m2 area of the module, while annual insolation on an inclined surface at an angle of 30 ° was 1284 kWh/m2.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.