Za pomocą symulacji komputerowych oraz wykorzystania odpowiedniego algorytmu zoptymalizowano strukturę ogniwa p-i-n ze studniami GaAs oraz barierami AlxGa1-xAs w obszarze "i". Jako wynik otrzymano strukturę p-i(GaAs/Al0.1Ga0.9As)-n z dwoma studniami kwantowymi. W dalszej części pracy badano wpływ temperatury na parametry ogniwa zoptymalizowanego, takie jak: prąd zwarcia, napięcie rozwarcia, maksymalny prąd i napięcie oraz sprawność konwersji. Wzrost temperatury nie wprowadził spodziewanego polepszenia sprawności konwersji przyrządu. Wyniki porównano ze strukturami odniesienia p-i-n, w których zastosowano obszar "i" GaAs lub AI01Ga09As. Wszystkie symulacje wykonano za pomocą programu SimWindows program v. 1.5.0
EN
Within intrinsic layer of ordinary p-i-n solar cell GaAs wells and AlxGa1-xAs barriers were inserted. Solar cells structure was optimized by means of computer simulations assuming dedicated algorithm. In a result p-i(GaAs/AI0.1Ga0.9As)-n structure with two quantum wells was obtained. Influence of temperature of solar cell device on its parameters like: short-circuit current, open-circuit voltage, maximum current and voltage, and conversion efficiency was investigated. Temperature increase did not contributed significantly to the expected extension of investigated device's conversion efficiency. Two reference p-i-n solar cell structures with intrinsic layer composed of GaAs and AI0.1Ga0.9As were also examined for comparison purposes. All simulations were carried out by using SimWindows program v. 1.5.0.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.