Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

3 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: ogniwa słoneczne trzeciej generacji

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Badania nanostruktur krzemowych w zastosowaniu do fotowoltaiki

Lipiński M., Piotrowski Т., Ratajczak J., Hejduk K., Bierska-Piech В., Jarząbek В.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2013

Vol. 54, nr 5

27-29

Przedstawione są wyniki badań nanocząstek krzemowych wytworzonych w wielowarstwowych strukturach azotku krzemu. Celem badań jest opracowanie nowych materiałów półprzewodnikowych w postaci supersieci kwantowych. Materiały te mogą zostać wykorzystane do ogniw trzeciej generacji np. w ogniwach tandemowych opartych na krzemie.

The results of investigation of the silicon nanoparticles produced in the multilayer structure of silicon nitride are presented. The aim of the research is to develop new semiconductor materials in the form of quantum superlattices. Such materials can be used for third-generation cells such as all-silicon tandem solar cells.

Charakteryzacja krzemowych kropek kwantowych w wielowarstwowych strukturach azotku krzemu

Lipiński M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2011

Vol. 52, nr 4

73-76

Przedmiotem pracy są krzemowe nanocząstki wytworzone w wielowarstwowej strukturze azotku krzemowego, która mogą być zastosowane w ogniwach słonecznych trzeciej generacji. Wielowarstwowe struktury azotku krzemu SiNx osadzono przy użyciu techniki RF PECVD. Krzemowe kropki kwantowe zostały wytrącone w warstwach SiNx z nadmiarem krzemu w wyniku ich wygrzewania w 1100°C. Widma fotoluminescencji wykazały przesunięcie maksimów PL w kierunku wyższych energii w wyniku wygrzewania w 1100°C wyniku krystalizacji krzemowych nanocząstek. Optyczne krawędzie absorpcji wielowarstwowych struktur kwantowych zostały oszacowane z wykresów Tauca.

The work concern silicon quantum dots Si QDs fabricated in multilayer structure of silicon nitride for third-generation solar cells application. The multilayer structures were deposited by RF PECVD method. The silicon quantum dots were precipitated from Si-rich layers SiNx due to high temperature annealing process at 1100°C. The photoluminescence spectra indicated the blue shift the maxima after annealing at 1100°C due to crystallization of silicon nanoparticles. The optical absorption edges of multilayers quantum structures were estimated by Tauc's plots.

Krzemowe nanostruktury dla ogniw słonecznych

Lipiński M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2010

Vol. 51, nr 5

92-95

Przedmiotem pracy jest supersieć kwantowa utworzona z krzemowych kropek kwantowych w zastosowaniu dla ogniw słonecznych trzeciej generacji. Osadzono wielowarstwowe struktury azotku krzemu SiNx przy użyciu techniki PECVD. Krzemowe kropki kwantowe zostały wytrącone w warstwach SiNx z nadmiarem krzemu w wyniku wysokotemperaturowego procesu. Obrazy uzyskane przy użyciu wysokorozdzielczego elektronowego mikroskopu elektronowego (HRTEM) pokazują krystaliczną strukturę krzemowych kropek kwantowych.

The paper deals with silicon quantum dots superlatice for third-generation solar cells application. The multilayer structures of silicon nitride were deposited by PECVD method. The silicon quantum dots were precipitated from Si-rich layers SiNx due to high temperature annealing process. High resolution transmission electron microscope (HRTEM) images of cross sectional vies show the crystal structure of the silicon quantum dots.